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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
13:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 Arクラスター照射によるDNA/Si-MOSFETに対する影響
中野 響松尾直人部家 彰山名一成高田忠雄盛谷浩右乾 徳夫佐藤 佑兵庫県立大)・佐藤 旦横山 新広島大EID2018-7 SDM2018-80
DNAにArクラスターを照射した。照射前後で、電流値に大きな変化が見られた。ArクラスターによりDNAに変化が起きたと考... [more] EID2018-7 SDM2018-80
pp.25-28
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
16:30
京都 京都大学 DNA/Si-MOSFETの正孔,電子伝導に関する検討
中野 響松尾直人部屋 彰高田忠雄山名一成兵庫県立大)・佐藤 旦横山 新広島大)・大村泰久関西大EID2017-28 SDM2017-89
 [more] EID2017-28 SDM2017-89
pp.85-88
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
15:15
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 DNA/Si-MOSFET,寄生容量制御によるインバータ回路の検討
中野 響松尾直人部屋 彰高田忠雄山名一成兵庫県立大)・佐藤 旦横山 新広島大EID2016-23 SDM2016-104
DNA/Si-MOSFET,及び,寄生容量制御可能なインバータ回路を作成しその入出力特性を調べた。シリコン基板を使って電... [more] EID2016-23 SDM2016-104
pp.63-66
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
13:40
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 [招待講演]メソスコピック寸法のλ-DNA/SiO2/Si構造における正孔の非クーロンブロケード/ステアケース現象
松尾直人高田忠雄部家 彰山名一成兵庫県立大)・佐藤 旦横山 新広島大)・大村泰久関西大SDM2016-4 OME2016-4
 [more] SDM2016-4 OME2016-4
pp.17-22
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
11:15
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 DNAのMOSFETチャネル材料としての検討 ~ 非クーロンブロッケード/ステアケース現象 ~
松尾直人中村文耶高田忠雄山名一成部家 彰兵庫県立大)・横山 新広島大)・大村泰久関西大EID2015-10 SDM2015-93
 [more] EID2015-10 SDM2015-93
pp.5-7
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
10:45
京都 京都大学 DNAメモリトランジスタの電荷保持機構と伝導機構
中村昇平松尾直人部家 彰山名一成高田忠雄兵庫県立大)・福山正隆横山 新広島大EID2014-16 SDM2014-111
 [more] EID2014-16 SDM2014-111
pp.17-20
SDM 2012-12-07
11:30
京都 京都大学(桂) DNAを用いたメモリトランジスタのキャリア挙動の検討
前野尚子松尾直人山名一成部家 彰高田忠雄兵庫県立大SDM2012-121
我々はSi基板を用いて100nm程度のギャップを持つ電極を作製し,電極間に固定されたDNAに電荷保持特性がある事を報告し... [more] SDM2012-121
pp.37-40
SDM 2011-12-16
16:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性
高城祥吾松尾直人山名一成部家 彰高田忠雄兵庫県立大)・横山 新広島大SDM2011-147
SOI基板を用いて、100nmのギャップを持つソース/ドレイン電極間を繋ぐように形成したDNA分子の電荷保持特性を調査し... [more] SDM2011-147
pp.83-85
SDM 2010-12-17
16:45
京都 京都大学(桂) Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究
高城祥吾松尾直人山名一成部家 彰高田忠雄兵庫県立大)・坂本憲児横山 新広島大SDM2010-201
本研究では,Si基板を用いて100nm程度のギャップを持つ電極を作製し,電極間に固定されたDNAの伝導特性,及び,n-S... [more] SDM2010-201
pp.87-91
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