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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2014-10-24
15:20
長野 信州大学工学部 地域共同研究センター3階研修 キャンパスマップ17番 TEOSを用いた熱CVD法による4H-SiC MIS特性に対するH2アニールの効果
狩野巧生赤羽桂幸小林悠太山上朋彦上村喜一信州大CPM2014-109
TEOSを用いた熱CVD法により4H-SiC(0001)Si面にSiO2膜を形成し、作製したSiO2/SiCキャパシタの... [more] CPM2014-109
pp.25-28
CPM 2014-09-04
14:20
山形 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 プラズマ直接窒化法によるSiC表面の窒化処理と窒化層の熱的安定性
赤羽桂幸狩野巧生荻野航弥小林悠太山上朋彦上村喜一信州大CPM2014-77
 [more] CPM2014-77
pp.13-16
CPM 2013-10-24
15:50
新潟 新潟大ときめいと アルコールを原料とした熱CVD法によるCNTの作製
久保直希山田渓介山上朋彦上村喜一信州大CPM2013-98
カーボンナノチューブ(CNT)は、その機械的、熱的および化学的性質に起因して多くの分野で研究されている。真空ナノエレクト... [more] CPM2013-98
pp.27-30
CPM 2013-10-25
11:00
新潟 新潟大ときめいと SiCコーティングフィラメントを用いたHWCVD法によるSiC薄膜の低温形成と構造評価
阿部克也小澤勇斗山上朋彦信州大CPM2013-105
 [more] CPM2013-105
pp.59-62
CPM 2013-10-25
11:25
新潟 新潟大ときめいと 絶縁膜中に分散させたCNT冷陰極の開発
浅田裕司山上朋彦上村喜一信州大CPM2013-106
ナノカーボン材料を用いた簡便なプロセスによる冷陰極の開発を目的に,絶縁膜中にカーボンナノチューブ(CNT)を分散させた構... [more] CPM2013-106
pp.63-66
CPM 2012-10-27
09:10
新潟 まちなかキャンパス長岡 コールドスプレー法により作製したCu/Alターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO2薄膜の作製
横本拓也荒井 崇小坂孝之岡島和希山上朋彦阿部克也榊 和彦信州大CPM2012-104
コールドスプレー法により作製したCu/Alターゲットを用いた
反応性スパッタリング法によりCuAlO$_{2}$薄膜の... [more]
CPM2012-104
pp.61-64
CPM 2012-10-27
11:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 電界遮蔽効果と直列抵抗を同時に考慮した電界電子放出特性の検討
浅田裕司山下将弘山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2012-109
ナノカーボン材料を用いた冷陰極の開発を目的に,絶縁膜中にカーボンナノチューブ(CNT)を分散させた構造を提案し,CNT濃... [more] CPM2012-109
pp.87-90
CPM 2012-08-08
13:00
山形 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 HWCVD法により低温形成したSiC薄膜の成長圧力依存性
阿部克也周 澤宇山上朋彦信州大CPM2012-33
 [more] CPM2012-33
pp.1-4
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-18
10:50
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み
阿部克也牛草遼平坂口優也周 澤宇山上朋彦信州大ED2012-30 CPM2012-14 SDM2012-32
 [more] ED2012-30 CPM2012-14 SDM2012-32
pp.63-66
CPM 2011-10-26
13:00
福井 福井大学 産学官連携本部研修室 複合ターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO2薄膜の作製と構造評価
横本拓也前田洋輔宮澤 匠山上朋彦阿部克也信州大CPM2011-109
複合ターゲットを用いた反応性スパッタリング法を用いてCuAlO2薄膜の作製と構造評価を行った。
本研究での複合ターゲッ... [more]
CPM2011-109
pp.1-4
CPM 2011-10-27
09:30
福井 福井大学 産学官連携本部研修室 SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製
坂口優也牛草遼平周 澤宇山上朋彦阿部克也信州大CPM2011-118
SiCコーティンググラファイト触媒を用いたHW-CVD法により、p-Si(001)及びガラス基板上へのSiC薄膜の低温形... [more] CPM2011-118
pp.47-50
CPM 2011-10-27
09:55
福井 福井大学 産学官連携本部研修室 TEOSを原料とするCVD法によるSiO2/SiC MOS構造の作製
逸見充則井口裕哉酒井崇史杉田暁彦山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2011-119
TEOSを使用した熱CVD法により、SiC表面に酸化膜を堆積させた。酸化膜堆積後、N$_2$雰囲気中でアニールを行い、さ... [more] CPM2011-119
pp.51-54
CPM 2011-08-10
13:50
青森 弘前大学 文京町キャンパス SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価
酒井崇史逸見充則村田裕亮鈴木真一郎山上朋彦林部林平・○上村喜一信州大CPM2011-58
SiC基板表面に直接窒化法により窒化層を製膜し,これを堆積法による酸化膜との界面制御層として使用することにより良好な界面... [more] CPM2011-58
pp.11-14
CPM 2010-10-29
09:25
長野 信州大学 工学部 地域共同研究センター3階研修室 直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価
鈴木真一郎村田裕亮逸見充則山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2010-100
純N$_{2}$またはNH$_{3}$雰囲気での直接窒化法を用いて,SiC表面上に窒化層を形成させた.形成させた窒化層表... [more] CPM2010-100
pp.47-50
CPM 2010-10-29
09:50
長野 信州大学 工学部 地域共同研究センター3階研修室 MIS型ショットキー接触の電流電圧特性を利用した窒化膜/SiC界面特性の評価
村田裕亮鈴木真一郎小林尚平山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2010-101
n型SiC上にNH_3による直接窒化法で窒化膜を形成してMIS構造を作製した。電流電圧特性から理想係数nを求めた。得られ... [more] CPM2010-101
pp.51-54
CPM 2010-07-29
13:30
北海道 道の駅しゃり 会議室 RFスパッタリングによるCuInO2薄膜の作製と熱処理効果の検討
小川 翼横本拓也林部林平山上朋彦阿部克也信州大
 [more]
CPM 2010-07-30
10:55
北海道 道の駅しゃり 会議室 水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出
斉藤裕史山上朋彦林部林平大池 匠山下将弘・○上村喜一信州大CPM2010-39
陰極表面に対して水平に配置されたカーボンナノチューブ(CNT)からの電界電子放出特性を検討するために無限長直線電荷と同時... [more] CPM2010-39
pp.45-48
CPM 2009-10-29
15:50
富山 富山県立大学 反応性RFスパッタリングによるCuInO2薄膜の作製と評価
小川 翼倉石央騎小林由貴山上朋彦林部林平阿部克也信州大
銅ターゲットとインジウムターゲットを組み合わせた複合ターゲットを用い、酸素を反応性ガスとした反応性RFマグネトロンスパッ... [more]
CPM 2009-10-29
16:15
富山 富山県立大学 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブを用いた冷陰極の試作と評価
斉藤裕史萩野達也松本純樹山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2009-93
絶縁体中にカーボンナノチューブを分散させることにより、電界増幅係数を高く保ったまま安定な冷陰極を構成できることを提案した... [more] CPM2009-93
pp.17-20
CPM 2009-08-10
15:30
青森 弘前大学 直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製
鈴木真一郎仙石 昌辻 拓真逸見充則村田裕亮山上朋彦林部林平・○上村喜一信州大CPM2009-35
MIS型ショットキーダイオードの電流電圧特性から、窒化膜/SiC構造の界面準位密度を概算した。界面準位密度はおよそ$10... [more] CPM2009-35
pp.9-12
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