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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 09:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討 ○廣木正伸・西村一巳（NTT）・渡邉則之（NTT-AT）・小田康裕・小林 隆（NTT）  ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 |
AlGaN/GaNヘテロ構造におけるオーミック接合として，Al/Ti/Al/Ni/Au電極材料を試みた． 1x10-5&... [more] | ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 pp.51-56 |
| ED | 2007-06-15 16:15 |
富山 | 富山大学 | MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード ○杉山弘樹・松崎秀昭・小田康裕・横山春喜・榎木孝知・小林 隆（NTT） ED2007-38 |
MOVPE法を用いてIn0.8Ga0.2As井戸層とAlAs障壁層を有するInP系共鳴トンネルダイオード（RTD）を作製... [more] | ED2007-38 pp.39-43 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | Si基板上にMOCVD成長した高品質InAIN/GaN HEMTエピ ○渡邉則之・横山春喜・廣木正伸・小田康裕（NTT）・八木拓真（NTT-AT）・小林 隆（NTT） |
MOCVDでSi(111)基板上に高品質なInAlN/GaNヘテロ構造を成長した。成長条件の最適化により平坦な表面(rm... [more] | ED2006-233 MW2006-186 pp.183-187 |
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