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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
13:15
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果(Ⅱ)
秋田佳輝松尾直人兵庫県立大)・小濱和之伊藤和博阪大EID2018-5 SDM2018-78
本研究では,Ge膜のFLA結晶化時にSiOxキャップ膜が及ぼす影響を調査した.FLA結晶化におけるpoly-Ge膜の結晶... [more] EID2018-5 SDM2018-78
pp.17-20
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
16:00
京都 京都大学 Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果
吉岡尚輝秋田佳輝部家 彰松尾直人兵庫県立大)・小濱和之伊藤和博阪大EID2017-26 SDM2017-87
 [more] EID2017-26 SDM2017-87
pp.77-80
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
16:00
京都 京都大学 軟X線源を用いたSiOx中nc-Siの形成
草壁 史平野翔大部家 彰松尾直人神田一浩望月孝晏宮本修治兵庫県立大)・小濱和之伊藤和博阪大EID2014-32 SDM2014-127
 [more] EID2014-32 SDM2014-127
pp.99-102
SDM 2011-02-07
13:40
東京 機械振興会館 Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性
小濱和之伊藤和博薗林 豊京大)・大森和幸森 健壹前川和義ルネサス エレクトロニクス)・白井泰治京大)・村上正紀立命館大SDM2010-221
我々は、Cu(Ti)合金薄膜と誘電体層との界面反応を用いた「Ti基自己形成バリア」を検討してきた。近年、Ti基自己形成バ... [more] SDM2010-221
pp.31-35
SDM 2010-02-05
14:30
東京 機械振興会館 Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性
大森和幸森 健壹前川和義ルネサステクノロジ)・小濱和之伊藤和博京大)・大西 隆水野雅夫神戸製鋼所)・浅井孝祐ルネサステクノロジ)・村上正紀学校法人立命館)・宮武 浩ルネサステクノロジSDM2009-188
プロセスの微細化が進むにしたがって、配線抵抗がデバイスの性能に与える影響は大きくなる.我々は、低抵抗かつ高信頼なCu配線... [more] SDM2009-188
pp.37-41
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