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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:25
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [依頼講演]5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作
平本俊郎更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・齋藤 渉九大)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之若林 整筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大
 [more] SDM2019-42 ICD2019-7
pp.31-34
SDM 2019-01-29
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減
更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子齋藤 渉東芝)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大)・平本俊郎東大
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] SDM2018-90
pp.39-44
SDM 2018-10-18
13:30
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F ラマン分光法による熱電デバイス応用へ向けたSiナノワイヤのプロセス評価
横川 凌明大)・富田基裕渡邉孝信早大)・小椋厚志明大
Siナノワイヤ(SiNW)はバルクSiと比較して電気伝導率を維持しつつ熱伝導率が大幅に低下することから次世代熱電材料とし... [more] SDM2018-61
pp.47-50
SDM 2017-10-26
10:50
宮城 東北大学未来研 ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果
女屋 崇明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀物質・材料研究機構/JST)・澤本直美明大)・大井暁彦池田直樹知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] SDM2017-57
pp.39-44
SDM 2017-06-20
16:10
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) 硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化
松浦賢太朗大橋 匠宗田伊理也東工大)・石原聖也明大)・角嶋邦之筒井一生東工大)・小椋厚志明大)・若林 整東工大
 [more]
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
16:45
北海道 北海道大学百年記念会館 分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体のフォノン物性の再現と予測
富田基裕早大/明大/学振)・小椋厚志明大)・渡邉孝信早大
本研究ではSiGe、GeSnおよびSiSn混晶用原子間ポテンシャルを作成し、分子動力学(MD)法を用いてSiGe、GeS... [more] ED2016-141 SDM2016-158
pp.61-66
SDM 2016-06-29
11:55
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果
女屋 崇明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀澤田朋実物質・材料研究機構/JST)・栗島一徳明大/物質・材料研究機構)・澤本直美明大)・大井暁彦知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大
本研究では、原子層堆積法によって作製したZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ)多層絶縁膜を用いたTiN/ZAZ/Ti... [more] SDM2016-37
pp.27-32
SDM 2016-06-29
16:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成
大橋 匠松浦賢太朗東工大)・石原聖也日比野祐介澤本直美明大)・角嶋邦之筒井一生東工大)・小椋厚志明大)・若林 整東工大
層状構造を有するMoS2は薄膜領域において高移動度を有することから,柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Comp... [more] SDM2016-46
pp.75-78
SDM 2015-06-19
15:15
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性
栗島一徳明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀塚越一仁大井暁彦知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] SDM2015-51
pp.69-73
SDM 2014-10-17
11:10
宮城 東北大学未来研 MOCVD法によるGeおよびGe1-xSnxのエピタキシャル成長
須田耕平石原聖也木嶋隆浩澤本直美明大)・町田英明石川真人須藤 弘気相成長)・大下祥雄豊田工大)・小椋厚志明大
GeおよびGe1-xSnxは、高移動度トランジスタ、IV族光デバイス等への応用が期待されている。
我々は、t-C4H9... [more]
SDM2014-91
pp.41-45
SDM 2013-10-18
10:30
宮城 東北大学未来研 バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価
池野成裕永田晃基明大)・陰地 宏廣沢一郎高輝度光科学研究センター)・小椋厚志明大
SiO2/Si 構造における界面準位の議論は、トランジスタの設計において最も重要なパラメータの一つである。界面準位の評価... [more] SDM2013-94
pp.33-36
SDM 2013-06-18
10:35
東京 機械振興会館 HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制
小橋和義明大)・長田貴弘生田目俊秀山下良之物質・材料研究機構)・小椋厚志明大)・知京豊裕物質・材料研究機構
Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている.しかしながら、high... [more] SDM2013-48
pp.25-28
SDM 2012-10-25
16:10
宮城 東北大学未来研 微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価
永田晃基山口拓也小椋厚志明大)・小金澤智之廣澤一郎高輝度光科学研究センター)・諏訪智之寺本章伸服部健雄大見忠弘東北大
SiO2薄膜の構造については、かねてより多角的な研究によりSiO2薄膜中にSi基板の結晶構造を反映した秩序が残留している... [more] SDM2012-91
pp.11-14
SDM 2011-10-21
09:50
宮城 東北大学未来研 32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価
武井宗久橋口裕樹山口拓也小瀬村大亮明大)・永田晃基明大/学振)・小椋厚志明大
歪技術はポストスケーリング時代のブースターテクノロジーとして実用化されている。しかし、その詳細なメカニズムおよび評価手法... [more] SDM2011-104
pp.43-48
SDM 2010-10-21
14:00
宮城 東北大学 [招待講演]先端LSIにおけるチャネル歪評価
小椋厚志明大)・小瀬村大亮明大/学振)・武井宗久富田基裕明大
 [more] SDM2010-152
pp.1-6
SDM 2010-10-21
15:00
宮城 東北大学 液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価
小瀬村大亮明大/学振)・小椋厚志明大
ラマン分光法は、高い精度で応力が評価でき、比較的空間分解能も高く、非破壊の特徴を有する。このため、半導体デバイスの応力評... [more] SDM2010-153
pp.7-12
SDM 2010-10-22
16:20
宮城 東北大学 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価
服部真季明大)・小瀬村大亮明大/学振)・武井宗久永田晃基赤松弘彬富田基裕水上雄輝橋口裕樹山口拓也小椋厚志明大)・諏訪智之寺本章伸服部健雄大見忠弘東北大)・小金澤智之高輝度光科学研究センター
原子スケールで平坦なSiO2/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために、ラマン分光法およびin-plane X線回折... [more] SDM2010-170
pp.71-75
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
16:25
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価
柳 永勲遠藤和彦大内真一産総研)・亀井貴弘明大)・塚田順一山内洋美石川由紀産総研)・林田哲郎明大)・坂本邦博松川 貴産総研)・小椋厚志明大)・昌原明植産総研
ゲート長を20 nmまでスケーリングした微細FinFETにおけるしきい値電圧(Vt)のばらつきを系統的に評価し,結晶異方... [more] SDM2010-151 ICD2010-66
pp.149-154
SDM 2008-06-10
09:30
東京 東京大学(生産研 An棟) 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント
清家 綾丹下智之佐野一拓杉浦裕樹土田育新太田洋道渡邉孝信早大)・小瀬村大亮小椋厚志明大)・大泊 巌早大
熱酸化膜起因の引っ張り歪を印加する事により、n型ナノワイヤFETs (n-nwFETs)、p型のナノワイヤFETs(p-... [more] SDM2008-48
pp.35-39
SDM, OME
(共催)
2008-04-11
11:25
沖縄 沖縄県青年会館 UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価
掛村康人小瀬村大亮小椋厚志明大)・野口 隆琉球大
低温ポリシリコン(LTPS)薄膜はシステムオングラス実現のためのキーマテリアルである。我々は、高精度・高空間分解能をもつ... [more] SDM2008-6 OME2008-6
pp.27-32
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