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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2019-11-07
15:00
福井 福井大学 文京キャンパス 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果
長内公哉中村和樹郡山春人小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・末光眞希東北大)・中澤日出樹弘前大CPM2019-46
希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し、真空... [more] CPM2019-46
pp.9-14
CPM, IEE-MAG
(連催)
2018-11-02
14:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性
中澤日出樹中村和樹長内公哉郡山春人小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・末光眞希東北大CPM2018-52
希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si... [more] CPM2018-52
pp.99-104
CPM 2018-08-09
14:30
青森 弘前大学文京町地区キャンパス Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果
中村和樹大橋 遼弘前大)・横山 大田島圭一郎遠藤則史末光眞希東北大)・遠田義晴小林康之鈴木裕史・○中澤日出樹弘前大CPM2018-8
希釈ガスにH_2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態、電気的・光... [more] CPM2018-8
pp.1-6
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
10:25
大阪 大阪市立大学 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発
小林康之熊倉一英赤坂哲也山本秀樹牧本俊樹NTTED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94
窒化物半導体は、光エレクトロニクスやパワーエレクトロニクス等におけるデバイス応用に幅広く用いられている。GaNをベースと... [more] ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94
p.7
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