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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2010-12-17
14:50
京都 京都大学(桂) 超臨界水で酸化したSiC基板表面とその膜質評価
佐藤智久阪大)・二ツ木高志大江太郎オルガノ)・小松直佳木村千春青木秀充阪大SDM2010-196
 [more] SDM2010-196
pp.63-67
ED 2008-06-13
14:15
石川 金沢大学 角間キャンパス ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価
小松直佳田中裕崇青木秀充松之内恵子木村千春阪大)・奥村幸彦舞鶴高専)・杉野 隆阪大ED2008-25
現在のパワーデバイスは主にSiで作製されているが、Siパワーデバイスは物性で決まる理論的性能限界に近づいており、この限界... [more] ED2008-25
pp.17-22
SDM, R, ED
(共催)
2007-11-16
13:00
大阪 中央電気倶楽部 イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価
松之内恵子小松直佳木村千春青木秀充杉野 隆阪大R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214
ワイドバンドギャップ半導体を用いた高性能なハイパワーFETを実現するためには、バンドギャップが大きく、誘電率の高い絶縁膜... [more] R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214
pp.1-6
SDM, R, ED
(共催)
2007-11-16
13:50
大阪 中央電気倶楽部 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理
二ツ木高志阪大/オルガノ)・大江太郎オルガノ)・青木秀充小松直佳木村千春杉野 隆阪大R2007-48 ED2007-181 SDM2007-216
ワイドバンドギャップ化合物半導体のSiC, GaNに高性能なFETを作製するには良好な絶縁膜の形成が不可欠である。両材料... [more] R2007-48 ED2007-181 SDM2007-216
pp.13-17
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