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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2013-06-18
11:35
東京 機械振興会館 Fe3Si/Geの界面構造によるSBHとスピン電流の変調:第一原理計算による理論的検討
小日向恭祐中山隆史千葉大
 [more] SDM2013-51
pp.39-42
SDM 2012-06-21
14:15
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係:第一原理計算による理論的検討
小日向恭祐中山隆史千葉大
 [more] SDM2012-54
pp.59-62
SDM 2011-07-04
14:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調:第一原理計算による理論的検討
小日向恭祐中山隆史千葉大
金属(Au)/Si(111)界面に構造乱れを形成した際のショットキーバリア変調を、界面近傍の半導体に原子空孔や格子間原子... [more] SDM2011-62
pp.69-73
SDM 2010-06-22
11:25
東京 東京大学(生産研An棟) 金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調:第一原理計算による化学的傾向の検討
小日向恭祐丸田勇亮中山隆史千葉大
金属/Si界面に発生する偏析原子層の安定性とショットキーバリア変調の化学的傾向を、偏析原子種をII族からVII族までを変... [more] SDM2010-37
pp.23-26
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