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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
AP 2023-10-19
10:00
岩手 岩手大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[ポスター講演]レイトレースを用いた屋外電波伝搬推定における標高の影響
森下 優藤元美俊福井大)・小川真人鈴木 剛京セラAP2023-92
現在,開発が進められている自動運転技術において,自動運転車が通信インフラや交通管制センターと常に通信するための通信手段と... [more] AP2023-92
pp.25-26
AP 2022-10-19
12:20
岐阜 岐阜市文化センター
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[ポスター講演]レイトレースを用いた屋外電波伝搬推定における建物密度の影響
坂本歩美藤元美俊福井大)・小川真人鈴木 剛京セラAP2022-115
近い将来,自動車は通信インフラや交通管制センターと常に通信しながら走行する自動運転が実現されようとしている.その通信手段... [more] AP2022-115
p.90
AP 2021-10-07
14:25
ONLINE オンライン開催 [ポスター講演]ITS通信における路車間電波伝搬の一検討
坂本歩美藤元美俊福井大)・小川真人鈴木 剛京セラAP2021-95
近い将来,自動車は通信インフラや交通管制センターと常に通信しながら走行する自動運転が実現されようとしている.その通信手段... [more] AP2021-95
pp.104-105
SDM 2015-11-06
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション
相馬聡文田中未来市原圭祐迫田翔太郎笹岡健二小川真人神戸大SDM2015-89
シリコンMOSFETの微細化に伴う発熱等の問題を克服するために,新材料,新構造,
新制御機構が様々に提案されている.本... [more]
SDM2015-89
pp.29-34
SDM 2014-11-07
11:15
東京 機械振興会館 モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出
土屋英昭石田良馬神戸大)・鎌倉良成森 伸也阪大)・宇野重康立命館大)・小川真人神戸大SDM2014-105
本稿では、モンテカルロシミュレーションを用いてSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数を抽出し、物理的... [more] SDM2014-105
pp.53-58
SDM 2013-11-15
13:25
東京 機械振興会館 ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析
大森正規木場隼介前川容佑神戸大)・土屋英昭神戸大/JST)・鎌倉良成森 伸也阪大/JST)・小川真人神戸大SDM2013-111
本稿では、ウィグナーモンテカルロシミュレーションを用いて、III-V MOSFETにおけるソース・ドレイン(SD)直接ト... [more] SDM2013-111
pp.65-70
QIT
(第二種研究会)
2011-11-21
14:40
大阪 大阪大学基礎工学研究科国際棟 [ポスター講演]強磁性絶縁体を用いたジョセフソンπ接合の理論
中村周平相馬聡文小川真人神戸大)・川畑史郎産総研
最近固体量子ビットの有力候補として強磁性体ジョセフソン接合に関する研究が盛んに行われている.
しかしながら,強磁性金属... [more]

SDM 2011-11-11
10:25
東京 機械振興会館 第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較
滝口直也木場隼介神戸大)・○土屋英昭神戸大/JST)・小川真人神戸大SDM2011-121
本稿では、<110>方向のSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤの断面サイズによるバンド構造の変化を調べるために、第一原理... [more] SDM2011-121
pp.33-38
SDM 2009-11-12
13:40
東京 機械振興会館 [招待講演]2009 SISPADレビュー (2)
小川真人神戸大SDM2009-137
ホテル デル コロナドで開催された2009 SISPADの内容のうち,量子効果デバイス,
ナノスケールデバイスについて... [more]
SDM2009-137
pp.13-17
SDM [詳細] 2008-11-14
16:15
東京 機械振興会館 シリコンナノワイヤトランジスタの3次元量子輸送シミュレーション
山田吉宏土屋英昭小川真人神戸大SDM2008-182
極限構造MOSトランジスタとして、シリコンナノワイヤをチャネルとする1次元MOSトランジスタが注目されている。本稿では、... [more] SDM2008-182
pp.77-82
SDM [詳細] 2008-11-14
16:40
東京 機械振興会館 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析
前川忠史山内恒毅原 孟史土屋英昭小川真人神戸大SDM2008-183
シリコンMOSFETの性能向上を実現する技術として、ひずみシリコンによる高キャリア移動度化に加え、ナノワイヤ等の新構造の... [more] SDM2008-183
pp.83-88
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
15:50
東京 機械振興会館 Quantum Electron Transport Modeling in Nano-Scale Devices Based on Multiband Non-Equilibrium Green's Funtion Method
Helmy FitriawanSatofumi SoumaMatsuto OgawaTanroku MiyoshiKobe Univ.
 [more] VLD2006-49 SDM2006-170
pp.59-63
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