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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-10-29
16:00
宮城 東北大学未来研 原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を導入したMOSFETの電気的特性
後藤哲也黒田理人諏訪智之寺本章伸小原俊樹木本大幾須川成利東北大)・鎌田 浩熊谷勇喜渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2015-74
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22umのshallow trench isolation ... [more] SDM2015-74
pp.17-22
SDM 2014-10-16
14:50
宮城 東北大学未来研 シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入
後藤哲也黒田理人赤川直矢諏訪智之寺本章伸李 翔小原俊樹木本大幾須川成利大見忠弘東北大)・熊谷勇喜鎌田 浩渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2014-85
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22mのshallow trench iso... [more] SDM2014-85
pp.7-12
SDM 2014-10-17
13:50
宮城 東北大学未来研 MOSFETにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こすトラップ密度の解析に関する研究
小原俊樹寺本章伸黒田理人米澤彰浩後藤哲也諏訪智之須川成利大見忠弘東北大SDM2014-93
アレイテスト回路を使用することで多数のサンプルにおいて,2準位以上のRandom Telegraph Noise(RTN... [more] SDM2014-93
pp.55-59
SDM 2013-10-18
14:00
宮城 東北大学未来研 MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析
米澤彰浩寺本章伸小原俊樹黒田理人須川成利大見忠弘東北大SDM2013-98
MOSFETのサブスレッショルド領域におけるRandom Telegraph Noise(RTN)の捕獲・放出時定数を多... [more] SDM2013-98
pp.51-56
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