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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2013-06-18
10:00
東京 機械振興会館 Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響
細井卓治秀島伊織箕浦佑也田中亮平阪大)・吉越章隆寺岡有殿原子力機構)・志村考功渡部平司阪大SDM2013-47
 [more] SDM2013-47
pp.19-23
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
11:30
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices
Takuji HosoiTakashi KirinoYusuke UenishiDaisuke IkeguchiAtthawut ChanthaphanOsaka Univ.)・Akitaka YoshigoeYuden TeraokaJAEA)・Shuhei MitaniYuki NakanoTakashi NakamuraROHM)・Takayoshi ShimuraHeiji WatanabeOsaka Univ.
 [more]
SDM 2011-07-04
10:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価
大野真也井上 慧森本真弘新江定憲豊島弘明横浜国大)・吉越章隆寺岡有殿原子力機構)・尾形祥一横浜国大)・安田哲二産総研)・田中正俊横浜国大SDM2011-54
面方位(113)、(120)のシリコン高指数面の初期酸化過程を光電子分光法を用いて調べた。酸化状態Sin+(n=1-4)... [more] SDM2011-54
pp.23-27
SDM 2008-06-10
12:45
東京 東京大学(生産研 An棟) Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定
山本喜久富樫秀晃今野篤史松本光正加藤 篤齋藤英司末光眞希東北大)・寺岡有殿吉越章隆原子力機構SDM2008-53
Si(110)表面の熱酸化膜被覆過程およびその界面結合状態をリアルタイム放射光光電子分光により調べた.その結果,酸化開始... [more] SDM2008-53
pp.65-70
SDM 2006-06-22
09:00
広島 広島大学, 学士会館 Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い ~ リアルタイム光電子分光測定から ~
末光眞希加藤 篤富樫秀晃今野篤史東北大)・寺岡有殿吉越章隆原子力機構)・成田 克九工大
Si(110)-16´2 表面の初期酸化過程をリアルタイム光電子分光法により評価し,Si(100)面酸化と比較した.Si... [more] SDM2006-52
pp.61-63
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