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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2016-04-14
13:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路
田中誠大石井智也蜂谷尚悟寧 渉洋竹内 健中大ICD2016-6
バッテリーレスなIoT向け端末に組み込まれるデータストレージとして,低電圧・低電力書き込み可能な抵抗変化型メモリ(ReR... [more] ICD2016-6
pp.27-32
ICD, CPSY
(共催)
2014-12-01
15:15
東京 機械振興会館 [ポスター講演]抵抗変化型メモリ(ReRAM)の書き込み特性の評価
西川 進中大)・寧 渉洋東大)・竹内 健中大ICD2014-89 CPSY2014-101
ReRAM(抵抗変化型メモリ)はフラッシュメモリよりも高速で、動作に必要とする電圧の小さな次世代不揮発性メモリである。R... [more] ICD2014-89 CPSY2014-101
p.57
ICD, CPSY
(共催)
2014-12-01
15:15
東京 機械振興会館 [ポスター講演]Carbon nanotube(CNT)を用いた不揮発性メモリデバイスの信頼性評価
柳沢英祐中大)・寧 渉洋中大/東大)・竹内 健中大ICD2014-91 CPSY2014-103
Carbon nanotube(CNT)を用いたメモリデバイス(NRAM)のデータの書き込みと消去はCNTデバイスにRe... [more] ICD2014-91 CPSY2014-103
p.61
ICD 2014-04-17
11:45
東京 機械振興会館 [依頼講演]RAID-5/6構成のクラウドデータセンタ向けReRAM/TLC NANDフラッシュメモリのハイブリッドストレージ
山沢裕紀徳富 司中大)・田中丸周平寧 渉洋中大/東大)・竹内 健中大ICD2014-4
クラウドデータセンタにおける信頼性, 速度, 容量要求を満たすために, RAID-5/6構成のReRAM/TLC (3ビ... [more] ICD2014-4
pp.15-20
ICD 2014-01-28
15:00
京都 京都大学時計台記念館 [ポスター講演]Carbon nanotube(CNT)を用いた不揮発性メモリデバイスの書き込み特性の検証
下村和也中大)・寧 渉洋中大/東大)・竹内 健中大ICD2013-121
Carbon nanotube (CNT)を用いたメモリデバイスは、ReRAMなどと同様の抵抗変化型のメモリデバイスであ... [more] ICD2013-121
p.51
ICD 2012-12-17
15:55
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [ポスター講演]3x Write and 5x Read Speed Increase for RRAM with Disturb Free Bipolar Operation
Sheyang NingChuo Univ./Univ. of Tokyo)・Tomoko Ogura IwasakiKen TakeuchiChuo Univ.ICD2012-99
The RRAM high speed operation is handicapped by the need to ... [more] ICD2012-99
p.43
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