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 18件中 1〜18件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
2015-08-24
10:55
熊本 熊本市 [招待講演]TFET(トンネルトランジスタ)のコンパクトモデル実装と超低消費電力回路応用検討
田中千加外園 明安達甘奈後藤正和近藤佳之杉崎絵美子藤松基彦原 浩幸宮野信治櫛田桂一川中 繁東芝
 [more] SDM2015-59 ICD2015-28
pp.11-13
ICD 2014-04-18
10:30
東京 機械振興会館 [招待講演]7nsのアクセスタイム、27fA/bの待機時電流、25μW/MHzの動作時電力を達成した低電力MCU向け65nm 128kb SRAMの開発
福田寿一小原弘治堂坂利彰武山泰久緑川 剛東芝)・橋本健二脇山一郎TOSMEC)・宮野信治北城岳彦東芝
65nmテクノロジーで128kbの低リークSRAMを開発し保持モードの待機時電流3.5nA(27fA/b)を達成した。q... [more] ICD2014-12
pp.59-64
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
09:00
石川 金沢大学 角間キャンパス SRAMセル安定性指標パラメータの検討:ノイズマージンかVminか?
Anil Kumar更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大
SRAMセルの安定性の指標となるパラメータとして,ノイズマージン(NM)と最低動作電圧(Vmin)を比較検討した.NMと... [more] SDM2013-74 ICD2013-56
pp.43-46
ICD 2013-04-12
14:45
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM
森脇真一山本安衛鈴 木 利 一半導体理工学研究センター)・川澄 篤東芝)・宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した... [more] ICD2013-20
pp.103-108
ICD 2012-12-17
15:55
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [ポスター講演]局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束
小林大介宮地幸祐中大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健中大
6T-SRAMにおいて,しきい値電圧(VTH)のばらつきにより低下する読み出しマージンを改善するため,パスゲートトランジ... [more] ICD2012-94
p.31
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
09:35
北海道 札幌市男女共同参画センター 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kbサブ10pJ/access動作8T SRAM
吉本秀輔寺田正治梅木洋平奥村俊介神戸大)・川澄 篤鈴木利一森脇真一宮野信治半導体理工学研究センター)・川口 博吉本雅彦神戸大
 [more] SDM2012-64 ICD2012-32
pp.7-12
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
10:00
北海道 札幌市男女共同参画センター SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術
クマール アニール更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより,SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] SDM2012-65 ICD2012-33
pp.13-16
ICD 2012-04-23
17:00
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [パネル討論]”復興”メモリと日本の明日に向かって
宮野信治半導体理工学研究センター)・佐々木 淳岩手県庁)・大石基之日経BP)・松永翔雲東北大)・竹内 健中大)・助川 博東芝
 [more] ICD2012-6
p.29
ICD 2012-04-24
13:00
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術
宮地幸祐東大)・鈴木利一パナソニック)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大
 [more] ICD2012-12
pp.61-66
ICD 2012-04-24
13:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM
森脇真一川澄 篤半導体理工学研究センター)・鈴木利一パナソニック)・山本安衛宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大
 [more] ICD2012-13
pp.67-71
ICD 2012-04-24
14:15
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演] 低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM
吉本秀輔寺田正治奥村俊介神戸大)・鈴木利一宮野信治半導体理工学研究センター)・川口 博吉本雅彦神戸大
本論文では,低電圧かつ低消費電力な動作を実現可能な低電力ディスターブ緩和技術を提案する.提案技術は,プリチャージレスイコ... [more] ICD2012-14
pp.73-78
ICD 2011-04-19
11:20
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM
鈴木利一森脇真一川澄 篤宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター
低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルクCMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の... [more] ICD2011-12
pp.65-70
ICD 2011-04-19
11:45
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制
宮地幸祐本田健太郎田中丸周平東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大
SRAMのVTHのばらつきによる読み出し・書き込みマージン減少の解決のため,6T-SRAMのパスゲートトランジスタへ局所... [more] ICD2011-13
pp.71-76
ICD 2010-12-16
09:30
東京 東京大学 先端科学技術研究センター 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去
本田健太郎宮地幸祐田中丸周平東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大
8T-SRAMのアクセストランジスタをに局所的に電子を局所的に注入することによってしきい値電圧を非対称にし、ハーフセレク... [more] ICD2010-95
pp.1-6
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
13:45
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
宮地幸祐田中丸周平本田健太郎東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大
本論文ではプロセス後にSRAMセルのパスゲートトランジスタの記憶保持ノード側の接合端付近の絶縁膜中に電子を局所的に注入す... [more] SDM2010-145 ICD2010-60
pp.115-120
SDM 2010-06-22
15:15
東京 東京大学(生産研An棟) 作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
宮地幸祐田中丸周平本田健太郎東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大
本論文ではSRAMセルの安定性を自己修復するように一方のパスゲートトランジスタのゲート絶縁膜中に局所的に電子を注入するこ... [more] SDM2010-44
pp.61-65
ICD 2008-04-17
11:15
東京 機械振興会館 [招待講演]833MHz周波数動作グラフィックス用途向け疑似2ポートeDRAM
加来真理子岩井 斎永井 健和田政春鈴木 淳高井智久糸賀尚子宮崎隆行岩井隆之東芝)・竹中博幸東芝マイクロエレクトロニクス)・北城岳彦宮野信治大塚伸朗東芝
本報告書で紹介するeDRAMはグラフィックス用途向けに開発された疑似2ポートeDRAMである。リードライトクロスポイント... [more] ICD2008-3
pp.13-18
ICD 2006-04-13
09:45
大分 大分大学 リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM
高井智久永井 健和田政春岩井 斎加来真理子鈴木 淳糸賀尚子宮崎隆行東芝)・竹中博幸東芝マイクロエレクトロニクス)・北城岳彦宮野信治東芝
混載DRAMにおけるデータ保持電力を削減するために、オンチップECC回路とMT-CMOS技術を用いて実現されるリテンショ... [more] ICD2006-2
pp.7-12
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