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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OPE, LQE, OCS
(共催)
2018-10-19
10:20
佐賀 佐賀県教育会館 第1会議室 Siフォトニクスによる光渦MUX/DEMUXモジュール
雨宮智宏東工大)・吉田知也渥美裕樹産総研)・西山伸彦宮本恭幸東工大)・榊原陽一産総研)・荒井滋久東工大OCS2018-42 OPE2018-78 LQE2018-67
(事前公開アブストラクト) 100ギガビット超光リンクの低コスト化と低消費電力が進められる中、従来の多重方式に留まらず、... [more] OCS2018-42 OPE2018-78 LQE2018-67
pp.75-80
MW, ED
(共催)
2017-01-27
09:55
東京 機械振興会館地下2階1号室 HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響
大澤一斗野口真司祢津誠晃木瀬信和宮本恭幸東工大ED2016-103 MW2016-179
高い電子移動度を持つIII-V族化合物半導体が将来のnMOSFETのチャネル材料として期待されている。その実現のためには... [more] ED2016-103 MW2016-179
pp.35-40
CPM, ED, SDM
(共催)
2016-05-20
10:20
静岡 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) Evaluation of electrical properties of HfS2 thin flakes obtained by mechanical exfoliation
Vikrant UpadhyayaToru KanazawaYasuyuki MiyamotoTokyoTechED2016-23 CPM2016-11 SDM2016-28
 [more] ED2016-23 CPM2016-11 SDM2016-28
pp.47-50
ED 2015-07-25
10:40
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス
木下治紀祢津誠晃三嶋裕一金澤 徹宮本恭幸東工大ED2015-44
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。さらなる性能向上を目指して、マル... [more] ED2015-44
pp.39-44
ED 2014-08-01
11:20
東京 機械振興会館B3-1室 GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証
大橋一水藤松基彦宮本恭幸東工大ED2014-54
次世代のスイッチングデバイスとしてTunnel FETが注目されている。Tunnel FETには急峻なSub-thres... [more] ED2014-54
pp.7-11
ED 2014-08-01
13:30
東京 機械振興会館B3-1室 [招待講演]低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造
宮本恭幸金澤 徹米内義晴加藤 淳藤松基彦柏野壮志大澤一斗大橋一水東工大ED2014-56
高いオン電流($I_{on}$)と低いオフ電流 ($I_{off}$) を低電源電圧で実現することは、論理回路応用の為に... [more] ED2014-56
pp.19-24
SDM 2014-01-29
10:25
東京 機械振興会館 [招待講演]MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs
入沢寿史小田 穣池田圭司守山佳彦三枝栄子W Jevasuwan前田辰郎産総研)・市川 麿長田剛規秦 雅彦住友化学)・宮本恭幸東工大)・手塚 勉産総研SDM2013-137
(111)B面をチャネルとする底辺30 nmの三角形状In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に... [more] SDM2013-137
pp.9-12
ED, MW
(共催)
2014-01-16
11:20
東京 機械振興会館 MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET
金澤 徹三嶋裕一木下治紀上原英治宮本恭幸東工大ED2013-115 MW2013-180
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。そのさらなる性能向上を目指して、... [more] ED2013-115 MW2013-180
pp.29-33
OPE 2013-12-20
16:55
東京 機械振興会館 メタマテリアルを用いたInP系プラットフォームにおける透磁率制御
雨宮智宏金澤 徹東工大)・石川 篤理研)・カン ジュンヒョン西山伸彦宮本恭幸東工大)・田中拓男理研)・荒井滋久東工大OPE2013-146
 [more] OPE2013-146
pp.45-50
MW, ED
(共催)
2013-01-18
14:30
東京 機械振興会館 AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析
林 一夫大石敏之加茂宣卓山口裕太郎大塚浩志山中宏治中山正敏三菱電機)・宮本恭幸東工大ED2012-125 MW2012-155
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について,実測とTCADシミュレーションの両方から解析した.まず,ピンチ... [more] ED2012-125 MW2012-155
pp.69-74
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
10:15
沖縄 沖縄県青年会館 Vertical InGaAs MOSFET with HfO2 gate
Jun HiraiTomoki KususakiShunsuke Ikeda・○Yasuyuki MiyamotoTokyo Tech
 [more]
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-18
09:00
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化
柏野壮志平井 準池田俊介藤松基彦宮本恭幸東工大ED2012-26 CPM2012-10 SDM2012-28
我々はヘテロ接合電子ランチャと真性半導体チャネルを有する縦型MISFETの研究を行っている。この構造により7 MA/cm... [more] ED2012-26 CPM2012-10 SDM2012-28
pp.43-48
ED, MW
(共催)
2012-01-12
10:10
東京 機械振興会館 InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討
宮本恭幸山田真之内田 建東工大ED2011-129 MW2011-152
MOSFETにおいてチャネル長縮小がすすむと電子はチャネル内をバリスティックに走行するため、電流量がソースとチャネルの間... [more] ED2011-129 MW2011-152
pp.59-62
ED 2011-12-14
13:00
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 [招待講演]InGaAs MOSFETの高電流密度化
宮本恭幸米内義晴金澤 徹東工大ED2011-100
ITRS の予測では、将来のMOSFETにおいて、電源電圧=0.6V で2A/mmを超える高い電流駆動能力が求められてい... [more] ED2011-100
pp.1-6
MW, ED
(共催)
2011-01-14
13:25
東京 機械振興会館 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET
金澤 徹寺尾良輔山口裕太郎池田俊介米内義晴加藤 淳宮本恭幸東工大ED2010-188 MW2010-148
2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体... [more] ED2010-188 MW2010-148
pp.69-73
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
15:30
東京 東工大 大岡山キャンパス Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with buried SiO2 wires
Naoaki TakebeTakashi KobayashiHiroyuki SuzukiYasuyuki MiyamotoKazuhito FuruyaTokyo Inst. of Tech.ED2010-69 SDM2010-70
In this paper, we report the fabrication and device characte... [more] ED2010-69 SDM2010-70
pp.75-79
ED, MW
(共催)
2010-01-14
10:00
東京 機械振興会館 Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
金澤 徹若林和也齋藤尚史寺尾良輔田島智宣池田俊介宮本恭幸古屋一仁東工大ED2009-181 MW2009-164
2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用い... [more] ED2009-181 MW2009-164
pp.39-42
ED, MW
(共催)
2010-01-14
10:25
東京 機械振興会館 HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱
山田真之上澤岳史宮本恭幸古屋一仁東工大ED2009-182 MW2009-165
高電流密度駆動時におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)のエミッタ充電時間対電流密度の逆数特性について理論的考... [more] ED2009-182 MW2009-165
pp.43-48
SDM, ED
(共催)
2009-06-25
09:30
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source
Yasuyuki MiyamotoToru KanazawaHisashi SaitoKazuhito FuruyaTokyo Inst. of Tech.ED2009-72 SDM2009-67
Recently, III-V thin films have been identified as potential... [more] ED2009-72 SDM2009-67
pp.99-103
SDM, ED
(共催)
2009-06-25
12:15
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Estimation of collector current spreading in InGaAs SHBT having 75-nm-thick collector
Yasuyuki MiyamotoShinnosuke TakahashiTakashi KobayashiHiroyuki SuzukiKazuhito FuruyaTokyo Inst. of Tech.ED2009-79 SDM2009-74
We investigated collector current spreading in InGaAs single... [more] ED2009-79 SDM2009-74
pp.129-132
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