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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED
(共催)
2013-02-27
16:55
北海道 北海道大学(百年記念会館) Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET
前澤宏一伊藤泰平角田 梓中山幸二安井雄一郎森 雅之富山大)・宮崎英志水谷 孝名大ED2012-135 SDM2012-164
表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111) 基板上に直接成長した6-25 nm のInSb 薄膜をチャネルとして... [more] ED2012-135 SDM2012-164
pp.39-42
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
17:30
愛知 名古屋大学 VBL 原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価
宮崎英志合田祐司岸本 茂水谷 孝名大ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49
Al2O3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al2O3成膜前の前処理として(NH4)2S (硫化... [more] ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49
pp.185-190
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