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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2020-11-20 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］Si IGBTの３次元デバイス・シミュレーション ～ 物理モデルの検討と実測結果との比較 ～ ○執行直之・渡辺正裕・角嶋邦之・星井拓也・古川和由（東工大）・中島 昭（産総研）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・若林 整・宗田伊里也（東工大）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大）  SDM2020-30 |
[more] | SDM2020-30 pp.36-40 |
| SDM | 2019-11-08 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション ○渡辺正裕・執行直之・星井拓也・古川和由・角嶋邦之（東工大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・宗田伊里也・若林 整（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大） SDM2019-77 |
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の３次元TCADシ... [more] | SDM2019-77 pp.45-48 |
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