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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OPE 2015-12-10
16:05
石川 しいのき迎賓館 シリコンモノリシック集積光源に向けたゲルマニウム導波路の伝搬特性解析
奥村忠嗣小田克矢葛西淳一佐川みすず諏訪雄二日立OPE2015-141
 [more] OPE2015-141
pp.11-14
OPE 2015-12-11
12:00
石川 しいのき迎賓館 1310nm帯25Gbpsシリコンフォトニクス光送信器/CMOS受信器を用いた2km SMF/100m OM3-MMFエラーフリー伝送
若山雄貴奥村忠嗣佐川みすず松岡康信有本英生日立)・須永義則日立金属OPE2015-146
1310 nm帯シリコンフォトニクス光変調器とレンズ集積InGaAs面型受光器を用いSMF 2 km伝送,およびOM3-... [more] OPE2015-146
pp.35-38
OCS, OPE, LQE
(共催)
2014-10-30
16:20
長崎 長崎歴史文化博物館 マルチモードファイバを用いた25Gbpsインターコネクト用面入射型Geフォトダイオード
奥村忠嗣若山雄貴松岡康信小田克矢佐川みすず竹本享史野本悦子有本英生田中滋久日立OCS2014-65 OPE2014-109 LQE2014-83
マルチモードファイバとシリコンフォトニクス技術を用いた低コストな光インターコネクトに向けて、面入射型ゲルマニウムフォトダ... [more] OCS2014-65 OPE2014-109 LQE2014-83
pp.123-126
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
16:50
大阪 大阪市立大学 モノリシック光源に向けたゲルマニウム発光素子の研究
谷 和樹斎藤慎一小田克矢光電子融合基盤技研)・奥村忠嗣峰 利之日立)・井戸立身光電子融合基盤技研ED2012-91 CPM2012-148 LQE2012-119
Si基板上にモノリシックに集積可能な光源の開発を目指して, Ge単結晶成長技術の開発と,Ge発光素子の試作検討を行った.... [more] ED2012-91 CPM2012-148 LQE2012-119
pp.121-124
LQE 2010-12-17
11:10
東京 機械振興会館 a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ
進藤隆彦奥村忠嗣伊藤 瞳小口貴之高橋大佑渥美裕樹姜 ジュンヒョン長部 亮雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2010-118
LSIの高速化に伴い、現在のグローバル配線層における遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念され... [more] LQE2010-118
pp.17-22
LQE 2009-12-11
14:15
東京 機械振興会館 地下3階2号室 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作
奥村忠嗣伊藤 瞳近藤大介西山伸彦荒井滋久東工大LQE2009-147
 [more] LQE2009-147
pp.45-50
LQE 2008-12-12
14:35
東京 機械振興会館 地下3階2号室 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ
奥村忠嗣黒川宗高白尾瑞基近藤大介伊藤 瞳西山伸彦荒井滋久東工大LQE2008-137
 [more] LQE2008-137
pp.47-52
OPE, LQE
(共催)
2008-06-27
16:15
東京 機械振興会館 SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ
奥村忠嗣東工大)・丸山武男東工大/JST/金沢大)・米澤英徳西山伸彦東工大)・荒井滋久東工大/JSTOPE2008-28 LQE2008-29
 [more] OPE2008-28 LQE2008-29
pp.45-50
LQE, OPE
(共催)
2007-06-29
11:10
東京 機械振興会館 エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ
内藤秀幸阪本真一大竹 守奥村忠嗣東工大)・丸山武男東工大/JST)・西山伸彦東工大)・荒井滋久東工大/JSTOPE2007-20 LQE2007-21
 [more] OPE2007-20 LQE2007-21
pp.19-22
LQE 2006-12-08
09:55
東京 機械振興会館 直接貼り付け法によるSOI基板上GaInAsP/InP半導体薄膜レーザ
奥村忠嗣東工大)・丸山武男東工大/JST)・阪本真一西本頼史東工大)・荒井滋久東工大/JST
 [more] LQE2006-104
pp.7-12
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