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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
15:20
京都 京大桂キャンパス キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価
大麻浩平吉岡 啓齊藤泰伸菊地拓雄大黒達也浜本毅司杉山 亨東芝ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78
GaNパワーデバイスが克服すべき課題の一つである電流コラプス現象に関して、新たな評価手法を検討した。従来の動的オン抵抗を... [more] ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78
pp.27-30
SDM, ICD
(共催)
2013-08-01
09:50
石川 金沢大学 角間キャンパス マルチ・ゲート酸化膜を備え自己整合プロセスを用いたDual Work Function (DWF) MOSFETsの低消費RFアプリケーションに対するスケーリングの方針
宮田俊敬川中 繁外園 明大黒達也豊島義明東芝SDM2013-67 ICD2013-49
汎用CMOSプロセスを用いて、ゲート長が100nmの自己整合的なDual Work Function (DWF)-MOS... [more] SDM2013-67 ICD2013-49
pp.13-18
SDM 2011-11-10
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解
東 悠介百々信幸百瀬寿代大黒達也松澤一也東芝SDM2011-118
Random Telegraph Noise (RTN)の本質理解に向け、過渡解析および周波数領域解析が可能なRTNデバ... [more] SDM2011-118
pp.17-20
ICD, ITE-IST
(共催)
2008-10-23
11:10
北海道 北海道大学 情報教育館3F [招待講演]MOSFETのスケーリングとアナログ/RF特性 ~ 微細MOSはアナログ/RFにとって味方なのか ~
大黒達也東芝ICD2008-74
MOSFETの微細化によってデジタル回路の高速化や高周波用回路を実現してきた。最近、特性向上のために ゲートの微細化だけ... [more] ICD2008-74
pp.89-94
ICD, ITE-IST
(共催)
2008-10-23
16:05
北海道 北海道大学 情報教育館3F [パネル討論]サブ100nm CMOSデバイスによるアナログ回路設計の課題と展望
川人祥二静岡大)・須川成利東北大)・大黒達也東芝)・小野寺秀俊京大)・後藤邦彦富士通研)・濱崎利彦日本テキサス・インスツルメンツ)・道正志郎松下電器
 [more]
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
11:20
東京 機械振興会館 [招待講演]コンパクトモデルの進化 ~ 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴 ~
大黒達也東芝/広島大)・三浦道子広島大SDM2008-133 ICD2008-43
LSI設計の基盤となるトランジスタのコンパクトモデルが代わりつつある。ここ10年間はCMOSデジタル回路に最適化されたV... [more] SDM2008-133 ICD2008-43
pp.29-34
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
10:45
北海道 函館国際ホテル Mixed Signal CMOS用HfSiON ゲート絶縁膜の最適化
小島健嗣飯島良介大黒達也渡辺 健高柳万里子百瀬寿代石丸一成石内秀美東芝
(事前公開アブストラクト) Mixed Signal CMOSに最適なHfSiONゲート絶縁膜の最適化を行った。最適化に... [more] SDM2005-147 ICD2005-86
pp.25-30
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