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 24件中 1〜20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2017-10-19
13:45
新潟 柏崎エネルギーホール、新潟 [招待講演]アナログスピントロニクス素子とその人工神経回路網応用
秋間学尚William Borders深見俊輔守谷 哲栗原祥太Aleksandr Kurenkov堀尾喜彦佐藤茂雄大野英男東北大
人の脳に匹敵するような大規模な人工神経回路の実用化のためには,低消費電力で動作する専用の集積回路の開発が不可欠である.近... [more] MR2017-18
pp.7-12
MBE, NC
(併催)
2017-03-13
14:35
東京 機械振興会館 アナログ磁気メモリデバイスを用いた自己連想記憶システムの構築
栗原祥太秋間学尚William A. Borders深見俊輔守谷 哲Aleksandr Kurenkov下橋亮太堀尾喜彦佐藤茂雄大野英男東北大
 [more] NC2016-85
pp.127-132
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
11:25
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]3端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子 ~ 高速低消費電力不揮発性集積回路の実現を目指して ~
深見俊輔姉川哲朗大河原綾人張 超亮大野英男東北大
集積回路に不揮発性スピントロニクス素子を混載することによって、高性能と低消費電力性を両立したコンピューティングシステムが... [more] SDM2016-63 ICD2016-31
pp.99-103
ICD 2016-04-14
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計
小池洋紀三浦貞彦本庄弘明渡辺俊成佐藤英夫佐藤創志那須野 孝野口靖夫安平光雄谷川高穂丹羽正昭伊藤顕知池田正二大野英男遠藤哲郎東北大
高密度1T-1MTJ STT-MRAM実現に最適な,高ばらつき耐性・高動作マージンリファレンス電圧(Vref)生成回路,... [more] ICD2016-10
pp.51-56
ICD 2015-04-17
13:55
長野 信州大学 [チュートリアル講演]不揮発ロジックインメモリアーキテクチャとその低電力VLSIシステムへの応用
羽生貴弘鈴木大輔望月 明夏井雅典鬼沢直哉東北大)・杉林直彦NEC)・池田正二遠藤哲郎大野英男東北大
 [more] ICD2015-12
pp.57-61
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
14:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ
崎村 昇辻 幸秀根橋竜介本庄弘明森岡あゆ香石原邦彦NEC)・木下啓藏深見俊輔東北大)・三浦貞彦NEC)・笠井直記遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大)・杉林直彦NEC
 [more] SDM2014-69 ICD2014-38
pp.39-44
ICD 2014-04-17
14:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM ~ 6T2MTJセルにバックグラウンド・書き込み方式を適用 ~
大澤 隆・○小池洋紀東北大)・三浦貞彦NEC)・木下啓蔵東北大)・本庄弘明NEC)・池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大
 [more] ICD2014-7
pp.33-38
ICD 2014-04-17
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]全文検索システム向け階層的パワーゲーティングを活用した低エネルギー不揮発TCAMエンジンチップ
松永翔雲東北大)・崎村 昇根橋竜介杉林直彦NEC)・夏井雅典・○望月 明遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大
全文検索システムにおけるエネルギー消費を極限にまで低減させるため,90nm CMOS技術と垂直MTJ技術による1Mb不揮... [more] ICD2014-8
pp.39-44
ICD 2014-04-18
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ
小池洋紀東北大)・崎村 昇根橋竜介辻 幸秀森岡あゆ香三浦貞彦本庄弘明杉林直彦NEC)・大澤 隆池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大
磁気トンネル接合素子(MTJ)による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路(NV-F/F)を用いた,パワーゲーティング... [more] ICD2014-17
pp.85-90
ICD 2013-04-11
14:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM ~ 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 ~
遠藤哲郎大澤 隆小池洋紀東北大)・三浦貞彦本庄弘明徳留圭一NEC)・池田正二羽生貴弘大野英男東北大
不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセ... [more] ICD2013-6
pp.27-32
ICD 2013-04-11
14:45
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現
松永翔雲東北大)・三浦貞彦本庄弘明NEC)・木下啓蔵池田正二遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大
高性能な情報検索機能を実現する並列構造の専用ハードウェア,Ternary Content-Addressable Mem... [more] ICD2013-7
pp.33-38
ICD 2013-04-11
16:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術
辻 幸秀根橋竜介崎村 昇森岡あゆ香本庄弘明徳留圭一三浦貞彦NEC)・鈴木哲広ルネサス エレクトロニクス)・深見俊輔木下啓藏羽生貴弘遠藤哲郎笠井直記大野英男東北大)・杉林直彦NEC
磁壁移動型スピン素子を用いた不揮発性論理ゲートにおいてゲート内でスピン素子を冗長化させることで、1スピン素子に起こるエラ... [more] ICD2013-9
pp.41-46
ICD 2012-04-24
10:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演] 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ
根橋竜介崎村 昇辻 幸秀NEC)・深見俊輔東北大)・本庄弘明齊藤信作三浦貞彦石綿延行NEC)・木下啓蔵羽生貴弘遠藤哲郎笠井直記大野英男東北大)・杉林直彦NEC
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリを開発した。90nmのCMOSプロセスを用いて作製した... [more] ICD2012-10
pp.49-54
ICD 2011-04-18
10:00
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [招待講演]スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術
石垣隆士河原尊之竹村理一郎小埜和夫伊藤顕知日立)・大野英男東北大
本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入RAM(MLC-SPRAM)について述べる。2つの直列接続し... [more] ICD2011-1
pp.1-5
SDM 2010-11-11
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)
石垣隆士河原尊之竹村理一郎小埜和夫伊藤顕知日立)・大野英男東北大
本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)について述べる。2つの直列接続... [more] SDM2010-173
pp.11-15
ICD 2010-04-22
15:20
神奈川 湘南工大 [依頼講演] Fabrication of a Nonvolatile Lookup-Table Circuit Chip Using Magneto/Semiconductor-Hybrid Structure for an Immediate-Power-Up Field Programmable Gate Array
鈴木大輔夏井雅典池田正二東北大)・長谷川晴弘日立)・三浦勝哉東北大/日立)・早川 純日立)・遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大
本稿では,磁気トンネル接合素子 (MTJ: Magnetic Tunnel Junction) 素子特性を活用することで... [more] ICD2010-9
pp.47-52
ICD 2010-04-22
15:45
神奈川 湘南工大 [依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
竹村理一郎河原尊之日立)・三浦勝哉山本浩之日立/東北大)・早川 純松崎 望小埜和夫山ノ内路彦伊藤顕知高橋宏昌日立)・池田正二東北大)・長谷川晴弘松岡秀行日立)・大野英男東北大
1.8 V動作,32 nsアクセス,セル書き込み時間40 nsの32 Mb SPRAMを試作した。本チップは,150 n... [more] ICD2010-10
pp.53-57
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-10-08
13:55
福岡 福岡交通センター [招待講演]スピントルク磁化反転を用いた不揮発RAM(SPRAM)
高橋宏昌伊藤顕知早川 純三浦勝哉山本浩之山ノ内路彦小埜和夫竹村理一郎河原尊之日立)・佐々木龍太郎東北大)・長谷川晴弘東北大/日立)・池田正二東北大)・松岡秀行日立)・大野英男東北大
SPRAM(Spin Transfer Torque MRAM)は、電流によるスピントランスファトルクによってMTJ素子... [more]
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
14:30
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]Advanced magnetic tunnel junctions for hybrid spintronics/CMOS circuits
Shoji IkedaTohoku Univ.)・Jun HayakawaHitachi, Ltd.)・Huadong GanKotaro MizumumaJi Ho ParkTohoku Univ.)・Hiroyuki YamamotoKatsuya MiuraHitachi, Ltd./Tohoku Univ.)・Haruhiro HasegawaRyutaro SasakiToshiyasu MeguroTohoku Univ.)・Kenchi ItoHitachi, Ltd.)・Fumihiro MatsukuraHideo OhnoTohoku Univ.
 [more] ED2009-51 SDM2009-46
pp.5-8
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
15:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit
Masashi KamiyanagiFumitaka IgaShoji IkedaTohoku Univ.)・Katsuya MiuraTohoku Univ./Hitachi)・Jun HayakawaHitachi)・Haruhiro HasegawaTakahiro HanyuHideo OhnoTetsuo EndohTohoku Univ.
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] ED2009-52 SDM2009-47
pp.9-12
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