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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
13:00
静岡 静岡大学(浜松) リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善
加藤大望梶原瑛祐向井 章大野浩志新留 彩田島純平彦坂年輝蔵口雅彦布上真也東芝ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82
リセス深さによるノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果 (SCEs) 改善を検討した.TCADによる電界... [more] ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82
pp.29-32
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
12:55
愛知 名古屋工業大学 MOS型GaNパワーデバイスにおけるPBTI信頼性の改善
梶原瑛祐米原健矢加藤大望上杉謙次郎新留 彩蔵口雅彦向井 章大野浩志湯元美樹東芝)・吉岡 啓東芝デバイス&ストレージ)・布上真也東芝ED2017-62 CPM2017-105 LQE2017-75
 [more] ED2017-62 CPM2017-105 LQE2017-75
pp.65-68
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