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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-10-29
15:20
宮城 東北大学未来研 Xe/H2プラズマを用いたシリコン基板表面の低温平坦化技術
諏訪智之寺本章伸後藤哲也平山昌樹須川成利大見忠弘東北大SDM2015-73
MOSデバイスにおいてゲート絶縁膜とシリコンの界面の平坦性は,デイバス性能および動作信頼性に大きく影響する.近年開発が盛... [more] SDM2015-73
pp.13-16
SDM 2015-10-30
14:30
宮城 東北大学未来研 窒素添加LaB6ターゲットによる低仕事関数LaB6スパッタ薄膜の形成
石井秀和東北大)・高橋健太郎住友大阪セメント)・後藤哲也須川成利大見忠弘東北大SDM2015-81
LaB6薄膜をマグネトロンスパッタ法で形成し,その仕事関数を評価した.LaB6薄膜の仕事関数は,LaB6ターゲット中の窒... [more] SDM2015-81
pp.53-56
SDM 2015-10-30
15:30
宮城 東北大学未来研 高精度ガス制御器を用いたAl2O3のALD成膜におけるプロセス温度の検討
杉田久哉幸田安真諏訪智之黒田理人後藤哲也石井秀和東北大)・山下 哲フジキン)・寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2015-83
 [more] SDM2015-83
pp.63-68
SDM 2014-10-16
14:50
宮城 東北大学未来研 シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入
後藤哲也黒田理人赤川直矢諏訪智之寺本章伸李 翔小原俊樹木本大幾須川成利大見忠弘東北大)・熊谷勇喜鎌田 浩渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2014-85
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22mのshallow trench iso... [more] SDM2014-85
pp.7-12
SDM 2014-10-17
10:00
宮城 東北大学未来研 ラジカル窒化法により形成したSi3N4/Si界面に形成される組成遷移層に関する研究
諏訪智之寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2014-89
ラジカル窒化により形成したSi3N4/Si界面におけるSi基板側に形成される遷移層の構造を明らかにすることを目的とし、高... [more] SDM2014-89
pp.31-34
SDM 2014-10-17
13:50
宮城 東北大学未来研 MOSFETにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こすトラップ密度の解析に関する研究
小原俊樹寺本章伸黒田理人米澤彰浩後藤哲也諏訪智之須川成利大見忠弘東北大SDM2014-93
アレイテスト回路を使用することで多数のサンプルにおいて,2準位以上のRandom Telegraph Noise(RTN... [more] SDM2014-93
pp.55-59
SDM 2013-10-17
16:10
宮城 東北大学未来研 原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計
黒田理人中尾幸久寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2013-91
 [more] SDM2013-91
pp.15-20
SDM 2013-10-18
10:00
宮城 東北大学未来研 窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討
前田康貴大見俊一郎東工大)・後藤哲也大見忠弘東北大SDM2013-93
低仕事関数を有するLaB6は,窒素を添加することで酸化耐性が向上することが報告されている.本研究では窒素添加したLaB6... [more] SDM2013-93
pp.27-31
SDM 2013-10-18
14:00
宮城 東北大学未来研 MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析
米澤彰浩寺本章伸小原俊樹黒田理人須川成利大見忠弘東北大SDM2013-98
MOSFETのサブスレッショルド領域におけるRandom Telegraph Noise(RTN)の捕獲・放出時定数を多... [more] SDM2013-98
pp.51-56
SDM 2012-10-25
15:20
宮城 東北大学未来研 SiO2/Si(100)界面における組成遷移層の化学構造に関する研究
諏訪智之寺本章伸東北大)・室 隆桂之木下豊彦高輝度光科学研究センター)・須川成利服部健雄大見忠弘東北大SDM2012-89
 [more] SDM2012-89
pp.1-4
SDM 2012-10-25
16:10
宮城 東北大学未来研 微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価
永田晃基山口拓也小椋厚志明大)・小金澤智之廣澤一郎高輝度光科学研究センター)・諏訪智之寺本章伸服部健雄大見忠弘東北大SDM2012-91
SiO2薄膜の構造については、かねてより多角的な研究によりSiO2薄膜中にSi基板の結晶構造を反映した秩序が残留している... [more] SDM2012-91
pp.11-14
SDM 2012-10-26
09:30
宮城 東北大学未来研 Accumulation MOSFETsにおけるノイズ特性の評価
ゴベール フィリップ寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2012-92
 [more] SDM2012-92
pp.15-20
SDM 2012-10-26
09:55
宮城 東北大学未来研 PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス
中尾幸久寺本章伸黒田理人諏訪智之田中宏明須川成利大見忠弘東北大SDM2012-93
 [more] SDM2012-93
pp.21-26
SDM 2012-10-26
10:20
宮城 東北大学未来研 [特別講演]シリコンLSI:微細化に替る高性能化の道
大見忠弘中尾幸久黒田理人諏訪智之田中宏明須川成利東北大SDM2012-94
 [more] SDM2012-94
pp.27-32
SDM 2012-10-26
13:50
宮城 東北大学未来研 シリコンウェーハプロセスにおける超高速ウェットエッチング技術
酒井 健吉田達朗東北大)・吉川和博東北大/アプリシアテクノロジー)・大見忠弘東北大SDM2012-97
3次元高集積化技術のなかで、シリコンウェーハの薄化技術が重要視されている。本論文では、ウェットエッチングによるシリコンウ... [more] SDM2012-97
pp.41-45
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
14:45
沖縄 沖縄県青年会館 100nm-gate-length Normally-off Accumulation-Mode FD-SOI MOSFETs for Low Noise Analog/RF Circuits
Hidetoshi UtsumiRyohei KasaharaYukihisa NakaoRihito KurodaAkinobu TeramotoShigetoshi SugawaTadahiro OhmiTohoku Univ.
 [more]
SDM 2011-10-20
14:20
宮城 東北大学未来研 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減
鈴木裕彌黒田理人寺本章伸米澤彰浩松岡弘章中澤泰希阿部健一須川成利大見忠弘東北大SDM2011-98
ブロードチャネル構造によって,劇的なランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の低減効果を得た.形成されるチャネルの位置をト... [more] SDM2011-98
pp.5-9
SDM 2011-10-20
14:45
宮城 東北大学未来研 異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価
稲塚卓也熊谷勇喜黒田理人寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2011-99
 [more] SDM2011-99
pp.11-16
SDM 2011-10-20
15:45
宮城 東北大学未来研 ラジカル反応ベース絶縁膜形成プロセスにおける界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係
黒田理人寺本章伸李 翔諏訪智之須川成利大見忠弘東北大SDM2011-101
 [more] SDM2011-101
pp.21-26
SDM 2011-10-20
16:10
宮城 東北大学未来研 [特別講演]学問に基づいた本物のシリコン産業技術の創出
大見忠弘東北大SDM2011-102
インテル社のマイクロプロセッサの動作速度がこの6年間,3GHzクロック程度で完全に停滞していることが象徴するように,現状... [more] SDM2011-102
pp.27-36
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