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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2021-01-29
13:25
ONLINE オンライン開催 異なるトラップを持つAlGaN/GaN HEMTにおける2次元デバイスシミュレーションによるサイドゲート効果の解析
伊藤海到大石敏之佐賀大ED2020-32 MW2020-85
 [more] ED2020-32 MW2020-85
pp.26-29
ED, MW
(共催)
2020-01-31
15:35
東京 機械振興会館 地下3階6号室 TCADを用いたGaN HEMTの低周波Sパラメータに対するバッファトラップと自己発熱の影響に関する解析
大塚友絢山口裕太郎新庄真太郎三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2019-103 MW2019-137
 [more] ED2019-103 MW2019-137
p.53
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
12:40
静岡 静岡大学(浜松) β-Ga2O3 SBDを利用したRF-DC変換回路における負荷抵抗と電極面積依存性
橋川 誠浦田幸佑竹ノ畑拓海大石敏之大島孝仁佐賀大ED2019-38 CPM2019-57 LQE2019-81
 [more] ED2019-38 CPM2019-57 LQE2019-81
pp.25-28
AP, RCS
(併催)
2019-11-20
16:50
佐賀 佐賀大学 [特別講演](口頭発表)大電力レクテナ用スーパーワイドバンドギャップ半導体デバイスの研究開発の状況
大石敏之佐賀大
 [more]
MW, ED
(共催)
2019-01-18
11:30
東京 日立中研 大電力RF-DC変換に向けたGaN HEMT/Siダイオードのカスコード接続回路の検討
浦田幸佑網代康佑佐賀大)・山口裕太郎大塚友絢新庄真太郎三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2018-83 MW2018-150
 [more] ED2018-83 MW2018-150
pp.75-78
EST, MW, OPE, MWP, EMT
(共催)
IEE-EMT, THz
(連催) [詳細]
2018-07-19
15:25
北海道 洞爺観光ホテル Sパラメータ過渡応答測定を用いてトラップの非線形容量への影響を考慮したKa帯GaN大信号モデル
山口裕太郎大塚友絢半谷政毅新庄真太郎三菱電機)・大石敏之佐賀大EMT2018-30 MW2018-45 OPE2018-33 EST2018-28 MWP2018-29
 [more] EMT2018-30 MW2018-45 OPE2018-33 EST2018-28 MWP2018-29
pp.125-130
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
13:20
愛知 名古屋工業大学 NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価
石松裕真舟木浩祐桝谷聡士宮崎恭輔大島孝仁嘉数 誠大石敏之佐賀大ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76
ダイヤモンドは高周波かつ高出力デバイスへの応用が期待されており,これまでに水素終端やNO2 ホールドーピングにより高周波... [more] ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76
pp.69-72
MW, ED
(共催)
2017-01-27
13:00
東京 機械振興会館地下2階1号室 Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル
山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2016-107 MW2016-183
 [more] ED2016-107 MW2016-183
pp.57-62
MW, ED
(共催)
2017-01-27
13:25
東京 機械振興会館地下2階1号室 AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 ~ TCADシミュレーションによる検討 ~
大石敏之佐賀大)・山口裕太郎山中宏治三菱電機ED2016-108 MW2016-184
AlGaN上に形成された窒化膜保護膜(SiN)の残留応力が,GaN HEMTの電気的特性(ドレイン電流,ゲートリーク電流... [more] ED2016-108 MW2016-184
pp.63-68
MW 2016-11-17
14:30
佐賀 佐賀大学 基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデル
山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大MW2016-122
基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデルを提案する.提案モデルではバッファ... [more] MW2016-122
pp.33-38
MW 2016-11-18
11:20
佐賀 佐賀大学 GaN HEMTの低周波等価回路パラメータへのバッファトラップの影響
山口修造大石敏之佐賀大MW2016-128
GaN HEMT中のトラップの影響を検討するため,低周波における等価回路パラメータを測定した.バッファに対応する小信号等... [more] MW2016-128
pp.69-72
CPM, ED, SDM
(共催)
2016-05-19
15:25
静岡 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) ダイヤモンドショットキーバリアダイオードによるレクテナ回路の作製
河野直士嘉数 誠大石敏之佐賀大ED2016-18 CPM2016-6 SDM2016-23
 [more] ED2016-18 CPM2016-6 SDM2016-23
pp.25-28
ED 2016-01-20
13:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算 ~ 大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討 ~
大石敏之嘉数 誠佐賀大ED2015-116
Ga2O3やダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ半導体が,レクテナ回路のRF-DC変換効率に与える影響を等価回路モデル... [more] ED2015-116
pp.25-29
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
16:05
愛知 豊橋技科大VBL棟 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製
古賀優太原田和也花田賢志大石敏之嘉数 誠佐賀大ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリ... [more] ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24
pp.31-34
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
16:40
愛知 豊橋技科大VBL棟 浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析
山口修造・○大石敏之佐賀大)・山口裕太郎山中宏治三菱電機ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25
GaNショットキーバリアダイオード(SBD)を高電力で使用する場合,逆方向だけでなく、順方向にも大きな電圧が印加される。... [more] ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25
pp.35-39
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
17:05
愛知 豊橋技科大VBL棟 Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション
大石敏之東 竜太郎原田和也古賀優太佐賀大)・平間一行NTT)・嘉数 誠佐賀大ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26
H終端処理したダイヤモンド表面にNO2を吸着させ,Al2O3絶縁膜で保護したダイヤモンド電界効果トランジスタのデバイスシ... [more] ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26
pp.41-44
MW, ED
(共催)
2015-01-16
11:30
東京 機械振興会館 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング
山口裕太郎南條拓真小山英寿加茂宣卓山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2014-129 MW2014-193
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計... [more] ED2014-129 MW2014-193
pp.71-76
MW, ED
(共催)
2013-01-18
11:15
東京 機械振興会館 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討
山口裕太郎大石敏之大塚浩志吉岡貴章小山英寿鮫島文典津山祥紀山中宏治三菱電機ED2012-121 MW2012-151
SSPS(Space Solar Power Stations/System)向けGaN HEMT高効率増幅器について報... [more] ED2012-121 MW2012-151
pp.49-52
MW, ED
(共催)
2013-01-18
14:30
東京 機械振興会館 AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析
林 一夫大石敏之加茂宣卓山口裕太郎大塚浩志山中宏治中山正敏三菱電機)・宮本恭幸東工大ED2012-125 MW2012-155
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について,実測とTCADシミュレーションの両方から解析した.まず,ピンチ... [more] ED2012-125 MW2012-155
pp.69-74
MW, ED
(共催)
2005-01-18
11:10
東京 機械振興会館 Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT
國井徹郎戸塚正裕加茂宣卓山本佳嗣竹内日出雄島田好治志賀俊彦巳浪裕之北野俊明宮国晋一中塚茂典井上 晃奥 友希南條拓真大石敏之三菱電機
 [more] ED2004-216 MW2004-223
pp.25-30
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