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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-06-21
11:40
愛知 名古屋大学 VBL3F 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成
小林征登大田晃生黒澤昌志洗平昌晃田岡紀之池田弥央牧原克典宮﨑誠一名大
金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶・偏析を利用してGeの二次元結晶を作成することを目的として、Geと共晶反応を示すA... [more] SDM2019-27
pp.11-15
SDM 2019-06-21
16:45
愛知 名古屋大学 VBL3F HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析
大田晃生牧原克典名大)・生田目俊秀物質・材料研究機構)・塩﨑宏司宮﨑誠一名大
化学溶液洗浄したGaN(0001)上にプラズマ支援ALDを用いてHf/(Hf+Si)組成の異なるHfSiOxを形成し、8... [more] SDM2019-35
pp.47-51
SDM 2018-06-25
11:20
愛知 名古屋大学 VBL3F ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較
グェン スァン チュン名大)・○田岡紀之AIST-NU GaN-OIL)・大田晃生名大)・山田 永高橋言緒AIST-NU GaN-OIL)・池田弥央牧原克典名大)・清水三聡AIST-NU GaN-OIL)・宮崎誠一名大
 [more] SDM2018-17
pp.5-9
SDM 2018-06-25
15:15
愛知 名古屋大学 VBL3F リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価
松田亮平大田晃生名大)・田岡紀之産総研)・池田弥央牧原克典名大)・清水三聡産総研)・宮崎誠一名大
n型GaN(0001)基板上に、リモートプラズマ支援CVDにより厚さ~6.2nmのSiO2を堆積し、X線光電子分光法(X... [more] SDM2018-22
pp.29-32
SDM 2018-06-25
16:35
愛知 名古屋大学 VBL3F X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価
藤村信幸・○大田晃生池田弥央牧原克典宮崎誠一名大
 [more] SDM2018-26
pp.47-51
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
12:30
愛知 名古屋工業大学 リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価
グェンスァン チュン名大)・田岡紀之産総研)・大田晃生名大)・山田 永高橋言緒産総研)・池田弥央牧原克典名大)・清水三聡産総研)・宮崎誠一名大
SiH4とリモート酸素プラズマ用いたCVD(ROPE-CVD)によって形成したSiO2/GaN構造に対して、600から8... [more] ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74
pp.61-64
SDM 2017-06-20
14:35
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価
藤村信幸大田晃生池田弥央牧原克典宮崎誠一名大
 [more] SDM2017-25
pp.19-23
SDM 2017-06-20
14:55
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) 定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価
大田晃生加藤祐介池田弥央牧原克典宮崎誠一名大
 [more] SDM2017-26
pp.25-29
SDM 2017-06-20
16:50
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
伊藤公一大田晃生黒澤昌志洗平昌晃池田弥央牧原克典宮崎誠一名大
卓越した電子物性が理論予測されているSiやGeなどのIV族元素の二次元結晶を作成することを目指し、SiやGeと共晶反応を... [more] SDM2017-30
pp.43-48
SDM 2016-06-29
14:10
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量
藤村信幸大田晃生渡辺浩成牧原克典宮崎誠一名大
X線光電子分光法において、価電子帯信号と二次光電子信号を組み合わせることで、SiO2、4H-SiC、およびSiの真空準位... [more] SDM2016-40
pp.43-47
SDM 2016-06-29
14:45
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成
グェンスァン チュン藤村信幸竹内大智大田晃生牧原克典池田弥央宮崎誠一名大
SiH4と励起したAr希釈O2を用いたリモート酸素プラズマ支援CVD(O2-RPCVD)により水素終端したSi表面上にS... [more] SDM2016-41
pp.49-52
SDM 2015-06-19
12:40
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価
渡辺浩成大田晃生牧原克典宮崎誠一名大
 [more] SDM2015-44
pp.31-35
SDM 2015-06-19
13:20
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性
加藤祐介荒井 崇大田晃生牧原克典宮崎誠一名大
リモートH2プラズマ(H2-RP)支援によるTiナノドットの形成とその埋め込みがSiOx膜の抵抗変化特性に与える影響につ... [more] SDM2015-46
pp.41-45
SDM 2014-06-19
11:25
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成
浜田慎也村上秀樹小野貴寛橋本邦明広島大)・大田晃生名大)・花房宏明東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
Ge中でのAsの活性化率を向上させるために、Ge(100)に対して基板温度を-100~400°Cに制御してAs+イオン注... [more] SDM2014-48
pp.27-30
SDM 2014-06-19
12:05
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Mnナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Ni構造の抵抗変化特性
荒井 崇大田晃生牧原克典宮崎誠一名大
 [more] SDM2014-50
pp.37-42
SDM 2014-06-19
15:20
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]ナノドットを電極に用いたNi/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価
大田晃生劉 冲荒井 崇竹内大智張 海牧原克典宮崎誠一名大
 [more] SDM2014-56
pp.69-73
SDM 2013-06-18
13:15
東京 機械振興会館 リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価
牧原克典福岡 諒張 海壁谷悠希名大)・大田晃生広島大)・宮崎誠一名大
 [more] SDM2013-53
pp.47-50
SDM 2013-06-18
14:15
東京 機械振興会館 SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価
大田晃生広島大)・福嶋太紀牧原克典名大)・村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
 [more] SDM2013-56
pp.61-66
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-28
08:45
沖縄 沖縄県青年会館 Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior
Akio OhtaHiroshima Univ.)・Katsunori MakiharaNagoya Univ.)・Mitsuhisa IkedaHideki MurakamiSeiichiro HigashiHiroshima Univ.)・Seiichi MiyazakiNagoya Univ.
 [more]
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-28
09:00
沖縄 沖縄県青年会館 Characterization of Resistive Switching of Pt/Si-rich Oxide/TiN System
Motoki FukusimaNagoya Univ.)・Akio OhtaHiroshima Univ.)・Katsunori MakiharaSeiichi MiyazakiNagoya Univ.
 [more]
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