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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IN, NS
(併催)
2019-03-04
10:30
沖縄 沖縄コンベンションセンター クラウド計算機資源管理のためのスマートコントラクトを用いたオフチェーン実装の検討
大澤隆人大坐畠 智山本 嶺加藤聰彦電通大IN2018-94
 [more] IN2018-94
pp.61-65
ICD 2014-04-17
14:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM ~ 6T2MTJセルにバックグラウンド・書き込み方式を適用 ~
大澤 隆・○小池洋紀東北大)・三浦貞彦NEC)・木下啓蔵東北大)・本庄弘明NEC)・池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大ICD2014-7
 [more] ICD2014-7
pp.33-38
ICD 2014-04-18
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ
小池洋紀東北大)・崎村 昇根橋竜介辻 幸秀森岡あゆ香三浦貞彦本庄弘明杉林直彦NEC)・大澤 隆池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大ICD2014-17
磁気トンネル接合素子(MTJ)による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路(NV-F/F)を用いた,パワーゲーティング... [more] ICD2014-17
pp.85-90
ICD 2013-04-11
14:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM ~ 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 ~
遠藤哲郎大澤 隆小池洋紀東北大)・三浦貞彦本庄弘明徳留圭一NEC)・池田正二羽生貴弘大野英男東北大ICD2013-6
不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセ... [more] ICD2013-6
pp.27-32
ICD 2007-04-13
09:10
大分 大分県・湯布院・七色の風 Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability
中島博臣楠 直樹篠 智彰東芝)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・大澤 隆藤田勝之幾見宣之松岡史宜福田 良渡辺陽二南 良博東芝)・坂本篤史東芝情報システム)・西村 潤浜本毅司仁田山晃寛東芝ICD2007-10
SOI基板上にFloating Body RAM技術の開発を行ってきたが、今回、SOI膜厚を43nmまで薄膜化し16Mb... [more] ICD2007-10
pp.53-58
ICD 2006-04-13
11:35
大分 大分大学 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発
中島博臣南 良博篠 智彰東芝)・坂本篤史東芝情報システム)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・楠 直樹藤田勝之初田幸輔大澤 隆青木伸俊谷本弘吉森門六月生井納和美浜本毅司仁田山晃寛東芝
SOI基板上にFBC(Floating Body Cell)とよぶメモリセルを用いて90nmCMOSコンパチの128Mb... [more] ICD2006-5
pp.25-30
SIP, ICD, IE, IPSJ-SLDM
(共催)
2005-10-20
16:50
宮城 作並温泉一の坊 FBCを用いた333MHzランダムサイクルDRAM
初田幸輔藤田勝之大澤 隆東芝
 [more] SIP2005-114 ICD2005-133 IE2005-78
pp.113-118
ICD 2005-04-14
11:40
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
大澤 隆藤田勝之初田幸輔東芝)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・森門六月生南 良博篠 智彰中島博臣井納和美浜本毅司渡辺重佳東芝
SOI上のキャパシタレスDRAMセル、あるいはFloating Body Cell(FBC)と呼ばれているセルを使った1... [more] ICD2005-5
pp.23-28
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