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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
16:30
京都 京都大学 DNA/Si-MOSFETの正孔,電子伝導に関する検討
中野 響松尾直人部屋 彰高田忠雄山名一成兵庫県立大)・佐藤 旦横山 新広島大)・大村泰久関西大EID2017-28 SDM2017-89
 [more] EID2017-28 SDM2017-89
pp.85-88
SDM 2016-11-10
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]センサーネットワーク時代の低エネルギーSOIデバイスの展開可能性と見通し
大村泰久関西大SDM2016-81
本稿では、SOI TFETを含むいろいろなSOIデバイスの性能の特徴と見通しを議論する。埋め込み医療デバイスやセンサー・... [more] SDM2016-81
pp.15-22
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
13:40
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 [招待講演]メソスコピック寸法のλ-DNA/SiO2/Si構造における正孔の非クーロンブロケード/ステアケース現象
松尾直人高田忠雄部家 彰山名一成兵庫県立大)・佐藤 旦横山 新広島大)・大村泰久関西大SDM2016-4 OME2016-4
 [more] SDM2016-4 OME2016-4
pp.17-22
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
11:15
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 DNAのMOSFETチャネル材料としての検討 ~ 非クーロンブロッケード/ステアケース現象 ~
松尾直人中村文耶高田忠雄山名一成部家 彰兵庫県立大)・横山 新広島大)・大村泰久関西大EID2015-10 SDM2015-93
 [more] EID2015-10 SDM2015-93
pp.5-7
SDM 2014-11-06
10:05
東京 機械振興会館 非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル
呂 鴻飛佐藤伸吾大村泰久関西大)・アブヒジット マリックカルカッタ大SDM2014-96
本論文では非対称Double-Gate Tunnel FET(ADG-TFET)の解析ポテンシャルモデルを報告する。チャ... [more] SDM2014-96
pp.1-6
SDM 2014-11-06
10:30
東京 機械振興会館 Gate-on-Germanium Source (GoGeS)縦型トンネルFETの解析モデルの検討
大村泰久佐藤伸吾関西大)・アブヒジット マリックカルカッタ大SDM2014-97
 [more] SDM2014-97
pp.7-12
SDM 2013-11-15
10:50
東京 機械振興会館 Pt/TiO2/Pt系の抵抗変化現象の物理モデルとシミュレーションによる検証
大村泰久近藤祐介関西大SDM2013-108
本報告では、Pt/TiO2/Pt系の抵抗変化現象の物理モデルとシミュレーションによる検証を行うに当たり、TiO2膜におけ... [more] SDM2013-108
pp.49-54
SDM 2013-11-15
11:15
東京 機械振興会館 Double-gate Lateral Tunnel FETのデバイスモデル
大村泰久・○佐藤大貴佐藤伸吾関西大)・Abhijit Mallikカルカッタ大SDM2013-109
本報告では、LSIの低エネルギー化を目標として幅広く検討されているTunnel FETの実用的なモデルの構築を目指して、... [more] SDM2013-109
pp.55-60
SDM 2013-11-15
14:35
東京 機械振興会館 MOSFETの1/f雑音におけるHoogeパラメータの統合モデル
大村泰久関西大SDM2013-113
本報告では、様々な反転層チャネルMOSFETの1/f雑音特性を表現するHoogeパラメータに対する輸送現象の次元性の影響... [more] SDM2013-113
pp.77-82
SDM 2012-11-16
10:25
東京 機械振興会館 低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI-CMOSの微細化指針に関する検討
佐藤大貴大村泰久関西大SDM2012-105
Cross-Current Tetrode (XCT) SOI CMOSの応用開拓のために、XCT-SOI-CMOSの低... [more] SDM2012-105
pp.31-36
SDM 2010-11-12
15:30
東京 機械振興会館 GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 ~ モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 ~
仲野駿佑大村泰久関西大SDM2010-184
サブ30nm-Si細線Gate-All-Around (GAA) MOSFET設計の実現可能性を考察するために指針に関す... [more] SDM2010-184
pp.71-76
SDM 2009-11-13
13:00
東京 機械振興会館 [チュートリアル招待講演]薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し ~ 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題 ~
大村泰久関西大SDM2009-146
本報告では、先ず、過去50年のSOIデバイス技術の歴史を見たとき、現代の薄層SOI MOSFET技術の到達点と近未来の3... [more] SDM2009-146
pp.61-66
SDM [詳細] 2008-11-14
11:15
東京 機械振興会館 ナノスケールSOI MOFETの閾値電圧シフトに対するバンド非放物線性の影響に関するモデルの検討 ~ バンド非放物線性モデルの修正と検証 ~
京兼大輔大村泰久関西大SDM2008-176
 [more] SDM2008-176
pp.43-48
EE 2007-07-19
16:40
山口 山口大学吉田キャンパス 単相回路における簡易な有効・無効電流検出法
大村 泰新居浜高専)・田中俊彦平木英治石倉規雄山口大)・山本真義島根大EE2007-14
著者らは先に,単相回路において相関と相互相関に着目した有効・無効電流検出法を提案し,その有効性を明らかにした。本稿では,... [more] EE2007-14
pp.39-44
MW, ED
(共催)
2007-01-18
14:50
東京 機械振興会館 FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討 ~ ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定 ~
飯田幸雄中尾公一大村泰久田村 進関西大
 [more] ED2006-221 MW2006-174
pp.115-120
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
13:25
東京 機械振興会館 High-k Gate絶縁膜を持つUnderlap Single-Gate極薄SOI MOSFETのデバイス特性とばらつきの抑制
吉岡由雅大村泰久関西大
 [more] VLD2006-44 SDM2006-165
pp.31-36
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
14:35
東京 機械振興会館 極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化
山村 毅佐藤伸吾大村泰久関西大
 [more] VLD2006-46 SDM2006-167
pp.43-48
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