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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
WPT, EE
(併催)
2019-10-10
16:30
滋賀 龍谷大学瀬田キャンパス RECホール (小ホール) 太陽光発電を有する需要家の正味負荷の長期変動性を考慮した蓄電池の最適運用戦略に関する検討
湯淺一史九工大)・植嶋美喜馬場﨑忠利NTTファシリティーズ)・大村一郎九工大
 [more] EE2019-35
pp.53-57
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:25
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [依頼講演]5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作
平本俊郎更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・齋藤 渉九大)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之若林 整筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大
 [more] SDM2019-42 ICD2019-7
pp.31-34
SDM 2019-01-29
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減
更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子齋藤 渉東芝)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大)・平本俊郎東大
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] SDM2018-90
pp.39-44
EE, CPM
(共催)
2013-01-25
10:15
熊本 阿蘇ファームランド 高耐圧パワーデバイス用スケールダウン・テストベッドの開発
松吉 峻九工大)・附田正則国際東アジア研究センター)・平井秀敏大村一郎九工大
高耐圧パワーデバイス評価用テストベッドを開発した。本テストベッドは超低寄生インダクタンスを実現する専用デバイスパッケージ... [more] EE2012-46 CPM2012-168
pp.105-109
MW, ED
(共催)
2009-01-14
16:15
東京 機械振興会館 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用
齋藤 渉東芝)・土門知一東芝ビジネスアンドライフサービス)・大村一郎新田智洋垣内頼人齋藤泰伸津田邦男山口正一東芝
高耐圧GaN-HEMTを用いた共振インバータ回路による無電極ランプ照明回路を検証した結果について報告する。電流コラプスに... [more] ED2008-204 MW2008-169
pp.35-40
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について
大村一郎東芝
 [more] VLD2007-54 SDM2007-198
pp.19-22
MW, ED
(共催)
2007-01-19
15:50
東京 機械振興会館 GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
齋藤 渉土門知一津田邦男大村一郎東芝
GaN-HEMTは、高い臨界電界と2DEGチャネルの高移動度により高耐圧・超低オン抵抗を実現できるため、モーター駆動や電... [more] ED2006-237 MW2006-190
pp.205-208
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