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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2023-04-10
09:30
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]CAAC-IGZO FET と 0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いた1T1C FeRAM
遠藤正己沼田至優大嶋和晃恵木勇司井坂史人大野敏和手塚祐朗濱田俊樹古谷一馬津田一樹松嵜隆徳大貫達也村川 努國武寛司半導体エネルギー研)・小林正治東大)・山崎舜平半導体エネルギー研
 [more]
SDM 2023-01-30
13:40
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM
大嶋和晃遠藤正己沼田至優恵木勇司井坂史人大野敏和手塚祐朗濱田俊樹古谷一馬津田一樹松嵜隆徳大貫達也村川 努國武寛司半導体エネルギー研)・小林正治東大)・山﨑舜平半導体エネルギー研SDM2022-80
酸化物半導体電界効果トランジスタとHfO2 系キャパシタを用いて強誘電体メモリを試作した。
HfO2系キャパシタの下部... [more]
SDM2022-80
pp.5-8
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
15:45
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]180nm結晶性酸化物半導体トランジスタを用いた1.5-clock backup/2.5-clock restoreとゼロ・スタンバイ・パワーを実現する32bit CPU
小山 潤磯部敦生田村 輝加藤 清王丸拓郎上杉 航石津貴彦大嶋和晃鈴木康太筒井直昭熱海知昭塩野入 豊前橋幸男半導体エネルギー研)・藤田昌宏東大)・山崎舜平半導体エネルギー研SDM2014-70 ICD2014-39
極低オフ電流である結晶性酸化物半導体、特にC軸配向結晶性In-Ga-Zn 酸化物半導体 (CAAC-IGZO)を用いたト... [more] SDM2014-70 ICD2014-39
pp.45-50
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