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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2008-04-17
09:25
東京 機械振興会館 [招待講演]非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ
佐々木貴彦川澄 篤矢部友章武山泰久平林 修櫛田桂一東芝)・東畑晃史東芝マイクロエレクトロニクス)・片山 明深野 剛藤村勇樹大塚伸朗東芝ICD2008-1
$0.7V$単一電源により$1GHz$動作する$64kB$SRAMマクロを開発した [1] 。$45nm$テクノロジーを... [more] ICD2008-1
pp.1-6
ICD 2008-04-17
11:15
東京 機械振興会館 [招待講演]833MHz周波数動作グラフィックス用途向け疑似2ポートeDRAM
加来真理子岩井 斎永井 健和田政春鈴木 淳高井智久糸賀尚子宮崎隆行岩井隆之東芝)・竹中博幸東芝マイクロエレクトロニクス)・北城岳彦宮野信治大塚伸朗東芝ICD2008-3
本報告書で紹介するeDRAMはグラフィックス用途向けに開発された疑似2ポートeDRAMである。リードライトクロスポイント... [more] ICD2008-3
pp.13-18
ICD 2008-04-18
10:00
東京 機械振興会館 2ポートアンチヒューズセルを格子状に配置した65nm Pure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmableメモリ
松藤謙介行川敏正中野浩明伊藤 洋和田 修大塚伸朗東芝ICD2008-8
アンチヒューズを用いたPure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmable(PCOP)メモリ... [more] ICD2008-8
pp.39-44
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
11:40
北海道 北海道大学 hp32 nm ノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk FinFETで構成されたSRAM技術について
川崎博久東芝アメリカ電子部品)・○稲葉 聡岡野王俊金子明生東芝)・八木下淳史東芝アメリカ電子部品)・泉田貴士金村貴永佐々木貴彦大塚伸朗青木伸俊須黒恭一江口和弘綱島祥隆東芝)・石丸一成東芝アメリカ電子部品)・石内秀美東芝
 [more] SDM2006-147 ICD2006-101
pp.127-132
SIP, ICD, IE, IPSJ-SLDM
(共催)
2005-10-20
15:50
宮城 作並温泉一の坊 ECC内蔵メモリマクロにおけるDFT技術
櫛田桂一大塚伸朗平林 修武山泰久東芝
ECC回路を内蔵したメモリマクロにおいて、ECC搭載に伴うテストコスト増加を回避するDFT技術を開発した。新しい方式では... [more] SIP2005-111 ICD2005-130 IE2005-75
pp.95-100
ICD, SDM
(共催)
2005-08-18
15:45
北海道 函館国際ホテル レプリカセルバイアス技術を用いた低リークSRAMマクロ
平林 修武山泰久大竹博之櫛田桂一大塚伸朗東芝
(事前公開アブストラクト) モバイル用SoCの消費電力削減には、スタンドバイ時のSRAMリーク電流削減が重要であり、その... [more] SDM2005-141 ICD2005-80
pp.79-84
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
14:40
北海道 函館国際ホテル FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計
岡野王俊石田達也佐々木貴彦泉田貴士近藤正樹藤原 実青木伸俊稲葉 聡大塚伸朗石丸一成石内秀美東芝
FinFETを用いたhp22nm nodeのSRAMの実現可能性について、Static Noise Margin(SNM... [more] SDM2005-154 ICD2005-93
pp.67-72
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