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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
14:45
京都 京都大学 シリコン基板上に形成した強誘電体厚膜におよぼすプロトンビーム照射の影響
平出 惇山口正樹芝浦工大)・増田陽一郎八戸工大EID2017-22 SDM2017-83
シリコン基板上に堆積した強誘電体薄膜は,不揮発性メモリ,フォトニック結晶,圧電MEMSなどへの応用が期待されている.しか... [more] EID2017-22 SDM2017-83
pp.57-62
SDM 2012-12-07
16:00
京都 京都大学(桂) プロトンビームを用いた強誘電体微構造の作製
山口正樹渡辺和貴芝浦工大)・増田陽一郎八戸工大SDM2012-134
次世代の微細加工手法であると考えられるプロトンビーム照射により,強誘電体膜へのパターン描画について検討を行なった.感光基... [more] SDM2012-134
pp.113-117
MW, SCE
(共催)
2009-04-23
11:10
東京 機械振興会館 終端開放遮断円筒導波管反射法による液体の複素誘電率測定に関する基礎検討
柴田幸司神 宏卓八戸工大)・増田陽一郎八戸工大名誉教授SCE2009-4 MW2009-4
近年電磁波による人体影響が懸念されており、この影響を調べる基礎検討として液体ファントムの複素誘電率を測定する研究等が行わ... [more] SCE2009-4 MW2009-4
pp.17-22
SDM 2008-12-05
15:10
京都 京都大学桂キャンパスA1-001 アルコール系原料を用いた強誘電体膜の電気的特性評価
山口正樹大場友弘芝浦工大)・増田陽一郎八戸工大SDM2008-192
近年,次世代の薄膜形成手法のひとつであるプリンテッド・エレクトロニクス手法に応用できるアルコール系インクから強誘電体薄膜... [more] SDM2008-192
pp.43-47
MW 2008-11-21
15:25
長崎 長崎大学 分割円筒空洞共振器によるPZT厚膜の複素誘電率測定における試料挿入部の影響に関する検討
柴田幸司八戸工大)・飯島高志産総研)・増田陽一郎八戸工大名誉教授MW2008-144
TE011分割円筒空洞共振器法による直径50mm、厚さ0.2mmの鏡面研磨されたアルミナ基板上に化学溶液法により合成した... [more] MW2008-144
pp.149-154
MW 2008-06-27
09:40
愛知 豊橋技科大 分割円筒空洞共振器法によるPZT厚膜の複素誘電率測定における横共振法および摂動法の適用
柴田幸司八戸工大)・飯島高志産総研)・増田陽一郎八戸工大名誉教授MW2008-33
 [more] MW2008-33
pp.13-18
AP 2008-04-17
15:40
大阪 大阪電通大 TE011分割円筒空洞共振器法によるPZT厚膜の複素誘電率測定法の基礎検討
柴田幸司八戸工大)・飯島高志産総研)・増田陽一郎八戸工大名誉教授AP2008-10
 [more] AP2008-10
pp.51-56
SDM 2007-12-14
17:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 アルコール系溶液による強誘電体薄膜特性の焼成条件依存性
山口正樹芝浦工大)・増田陽一郎八戸工大SDM2007-236
近年,次世代の薄膜形成手法のひとつであるプリンテッド・エレクトロニクス手法に応用できるアルコール系インクから,強誘電体薄... [more] SDM2007-236
pp.59-62
EMCJ, MW
(共催)
2007-10-26
11:45
宮城 東北大学 PZT薄膜装荷CPWのバイアス電圧印加特性に関する基礎検討
柴田幸司八戸工大)・飯島高志産総研)・増田陽一郎八戸工大名誉教授EMCJ2007-72 MW2007-119
 [more] EMCJ2007-72 MW2007-119
pp.107-110
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