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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2011-01-14
11:25
東京 機械振興会館 Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発
松下景一桜井博幸柏原 康増田和俊小野寺 賢川崎久夫高木一考高田賢治津田邦男東芝ED2010-186 MW2010-146
Ka帯GaNデバイスによるSSPA(固体素子増幅器)はSATCOM(衛星通信)を中心としたミリ波TWTAの置換市場をター... [more] ED2010-186 MW2010-146
pp.61-64
EMCJ, MW, IEE-MAG
(共催)
2009-10-22
15:00
岩手 岩手大学・八幡平ロイヤルホテル S帯内部整合型E級GaN HEMT増幅器
高橋幸夫樋口 隆増田和俊東芝EMCJ2009-50 MW2009-99
GaN HEMTを用いてS帯内部整合型E級増幅器の設計・試作をした.スイッチ動作による高効率動作として時間領域で説明され... [more] EMCJ2009-50 MW2009-99
pp.37-40
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
12:05
福井 福井大学 Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発
柏原 康高木重徳増田和俊松下景一小野寺 賢高木一考川崎久夫高田賢治津田邦男東芝ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73
AlGaN/GaN HEMT 2チップをパッケージ実装した素子において、13.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(Vds)... [more] ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73
pp.81-84
MW, ED
(共催)
2007-01-19
16:15
東京 機械振興会館 X帯80W出力AlGaN/GaN HEMT開発
松下景一柏原 康増田和俊桜井博幸高塚眞治高木一考川崎久夫高田賢治津田邦男東芝
X帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN HEMT... [more] ED2006-238 MW2006-191
pp.209-212
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-05
13:00
京都 京都大学 X帯40W出力 AlGaN/GaN HEMTの開発
柏原 康増田和俊松下景一桜井博幸高塚眞治高木一考川崎久夫高田賢治津田邦男東芝
我々はX帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN H... [more] ED2006-152 CPM2006-89 LQE2006-56
pp.1-5
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-13
13:30
滋賀 立命館大学 C帯170W出力GaN-HEMTの開発
高田賢治桜井博幸松下景一増田和俊高塚眞治蔵口雅彦鈴木拓馬鈴木 隆広瀬真由美川崎久夫高木一考津田邦男東芝
AlGaN/GaN HEMTは次世代の高周波パワーデバイスとして期待され、最近ではL帯アプリケーション向けとして非常に優... [more] ED2005-126 CPM2005-113 LQE2005-53
pp.39-42
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