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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
PN 2012-03-12
14:55
長崎 五島市IT振興センター [奨励講演]InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4 x 4光スイッチの低消費電力・低偏光依存動作の実現
上田悠太小山慶晃上林和樹藤本信二宇高勝之早大)・塩田貴支北谷 健日立PN2011-89
次世代の光ネットワークでは、光パケット信号の経路を光のまま切り替える高速な光スイッチが不可欠である。我々は、InAlGa... [more] PN2011-89
pp.43-47
PN 2011-03-01
12:40
鹿児島 KKR鹿児島敬天閣 InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4 x 4光スイッチの低消費電力・低偏光依存動作の実現
上田悠太小山慶晃上林和樹藤本信二宇高勝之早大)・塩田貴支北谷 健日立PN2010-71
次世代の光ネットワークでは、光パケット信号の経路を光のまま切り替える高速な光スイッチが不可欠である。我々は、InAlGa... [more] PN2010-71
pp.77-80
OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT
(共催)
2010-01-28
16:50
京都 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 1.3um帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
深町俊彦塩田貴支日立/光電子融合基盤技研)・北谷 健日立)・坂 卓磨日立/光電子融合基盤技研)・松岡康信三田玲英子日立)・足立光一朗篠田和典日立/光電子融合基盤技研)・菅原俊樹日立)・田中滋久辻 伸二日立/光電子融合基盤技研)・青木雅博日立PN2009-46 OPE2009-184 LQE2009-166
1.3μm帯直接変調レーザについて,95℃までの広範囲25Gbps無温調動作の実現性を検討した.今回,共振器長160μm... [more] PN2009-46 OPE2009-184 LQE2009-166
pp.61-64
LQE 2009-12-11
16:30
東京 機械振興会館 地下3階2号室 レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合
篠田和典足立光一朗李 英根塩田貴支田中滋久日立/光協会)・菅原俊樹青木雅博日立)・辻 伸二日立/光協会LQE2009-152
次世代光通信に求められる実装簡易性に優れた光素子の開発を目的として、光素子へのレンズ集積技術を検討した。集積レンズはIn... [more] LQE2009-152
pp.71-74
OPE, LQE, OCS
(共催)
2009-10-23
16:30
福岡 九州大学 43Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作
林 宏暁牧野茂樹北谷 健塩田貴支篠田和典田中滋久青木雅博日立)・笹田紀子直江和彦日本オプネクストOCS2009-79 OPE2009-145 LQE2009-104
 [more] OCS2009-79 OPE2009-145 LQE2009-104
pp.187-190
LQE, OPE
(共催)
2009-06-19
09:55
東京 機械振興会館6階66号室 InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型光スイッチのハイブリッド導波路構造による偏光無依存・低クロストーク動作の実現
上田悠太藤本信二山田拓人中村真也宇高勝之早大)・塩田貴支北谷 健日立OPE2009-18 LQE2009-21
 [more] OPE2009-18 LQE2009-21
pp.13-17
LQE, CPM, EMD, OPE
(共催)
2008-08-29
09:50
宮城 東北大学 InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作
篠田和典牧野茂樹北谷 健塩田貴支青木雅博日立EMD2008-47 CPM2008-62 OPE2008-77 LQE2008-46
次世代通信用レーザに求められる極限性能の追求を目的として、InGaAlAs系材料とInGaAsP系材料を基板面内に自由に... [more] EMD2008-47 CPM2008-62 OPE2008-77 LQE2008-46
pp.79-82
PN 2008-03-14
11:20
沖縄 大濱信泉記念館(沖縄、石垣島) InAlGaAs/InAlAs/InPマッハツェンダー型多モード干渉光スイッチ(MIPS-MZ)の低電流動作
上田悠太中村真也宇高勝之早大)・塩田貴支北谷 健日立PN2007-87
10mA以下の低電流かつ-20dB以下の低クロストークな光スイッチング動作を目指してInAlGaAs/InAlAs/In... [more] PN2007-87
pp.75-79
LQE, OPE
(共催)
2007-06-29
09:30
東京 機械振興会館 1.55um帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送
牧野茂樹篠田和典塩田貴支北谷 健深町俊彦青木雅博日立)・笹田紀子直江和彦岡本 薫元田勝也佐久間 康日本オプネクストOPE2007-16 LQE2007-17
EA変調器の光吸収層にInGaAlAs系材料を適用することにより,広い温度範囲で優れた中/長距離伝送特性を有するアンクー... [more] OPE2007-16 LQE2007-17
pp.1-4
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