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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2016-07-23
15:30
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作
土屋充沙塚本貴広須田良幸東京農工大ED2016-30
我々は最近,不揮発性メモリ特性と整流特性の双方を有する理論的に最密のクロスポイント型配列に適した2端子抵抗変化型のp-C... [more] ED2016-30
pp.17-20
ED 2016-07-24
09:55
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 高い共鳴トンネル電流の正孔トンネル型Si1-xGex/Si系2重量子井戸共鳴トンネルダイオード
新川綾佳脇谷 実前田裕貴塚本貴広須田良幸東京農工大ED2016-33
ガスソース分子線エピタキシー法を用いて作製した,正孔トンネル型Si1-xGex/Si系非対称2重量子井戸共鳴トンネルダイ... [more] ED2016-33
pp.31-34
SDM 2014-06-19
13:25
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー p-Cu2O/SiOx/n-SiC構造pnメモリダイオードの低温形成
山下敦史塚本貴広須田良幸東京農工大SDM2014-51
我々が近年提案した最密クロスポイント配列のための不揮発性メモリ機能と整流特性を併せ持った2
端子抵抗変化型のp-Cu2... [more]
SDM2014-51
pp.43-47
SDM 2013-06-18
14:35
東京 機械振興会館 SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ ~ MIS型およびpnダイオード型メモリ ~
須田良幸小松辰己山口伸雄佐藤芳彦山田有希乃山下淳史塚本貴広東京農工大SDM2013-57
金属/トンネル酸化層/SiOx電子捕獲層/n-SiC/n-Si金属‐絶縁体‐半導体(MIS)型(構造)と金属/p型酸化物... [more] SDM2013-57
pp.67-70
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