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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2015-05-28 14:20 |
東京 | 電気通信大 | センダストとポリスチレン樹脂を孤立分散させた複合電磁波吸収体の作製と自由空間法による評価 ○久保田 匠（同志社大）・堺 健司（岡山大）・佐藤祐喜・吉門進三（同志社大）  MW2015-22 |
近年の無線通信技術の発達によって，数GHzから数十GHzで使用可能な電磁波吸収体が求められている。低コスト，低環境負荷で... [more] | MW2015-22 pp.7-12 |
| SCE | 2014-01-23 12:55 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 | ［招待講演］HTS-SQUIDを用いた試料回転式磁化率計の高感度化と磁気緩和信号の測定 ○堺 健司・岡本直大・浜崎大地・モハマド マワルディ サーリ・紀和利彦・塚田啓二（岡山大） SCE2013-41 |
HTS-SQUIDを用いた試料回転式の高感度磁化率計について，常磁性体や反磁性体の磁気モーメント緩和過程における非常に微... [more] | SCE2013-41 pp.37-41 |
| SCE | 2013-10-02 13:10 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | HTS-SQUIDを用いた試料回転型磁化率計の最適化と水分量計測への応用 ○堺 健司・日下 瞬・岡本直大・濱崎大地・モハマド マワルディ サーリ・紀和利彦・塚田啓二（岡山大） SCE2013-19 |
[more] | SCE2013-19 pp.1-6 |
| SCE | 2013-07-22 14:45 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 | HTS-SQUIDを用いた交流磁化率計の開発とシステムの最適化 ○堺 健司・浜崎大地・モハマド マワルディ サーリ・紀和利彦・塚田啓二（岡山大） SCE2013-18 |
本研究ではHTS-SQUIDを用いた交流磁化率計を開発し，高感度計測を行うためにシステムの最適化と基礎特性評価を行った．... [more] | SCE2013-18 pp.43-48 |
| SCE | 2013-01-24 13:10 |
岡山 | 岡山大学 | HTS-SQUIDを用いたサンプル回転式小型磁化率計の高感度計測手法の検討 ○堺 健司・濱崎大地・モハマド マワルディ サーリ・紀和利彦・塚田啓二（岡山大） SCE2012-32 |
HTS-SQUIDを用いたサンプル回転式小型磁化率計について，常磁性体や反磁性体の微弱な磁場を精度よく計測するため，シス... [more] | SCE2012-32 pp.43-47 |
| SCE | 2012-07-19 13:35 |
東京 | 機械振興会館地下3階1号室 | 高温超伝導SQUIDを用いた小型サンプル振動方式磁化率計とサンプル形状の依存性 ○モハマド マワルディ サーリ・高木竜輝・堺 健司・紀和利彦（岡山大）・塚本 晃・安達成司・田辺圭一（ISTEC-SRL）・神鳥明彦（日立）・塚田啓二（岡山大） SCE2012-14 |
本研究では，高温超伝導SQUIDを用いた小型磁化率計の開発を行った．開発した計測システムの基礎特性を評価し実験とシミュレ... [more] | SCE2012-14 pp.31-36 |
| SCE | 2012-01-26 11:20 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 | 高温超伝導SQUIDにおよる太陽電池検査システムの開発 ○紀和利彦・福留陽平・堺 健司（岡山大）・塚本 晃・安達成司・田辺圭一（超電導工学研）・神鳥昭彦（日立）・塚田啓二（岡山大） SCE2011-21 |
[more] | SCE2011-21 pp.11-16 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 14:15 |
北海道 | 函館国際ホテル | AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 ～ 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式 ～ ○大津賀一雄・倉田英明（日立）・小堺健司・野田敏史（ルネサステクノロジ）・笹子佳孝・有金 剛・河村哲史・小林 孝（日立） |
本報告では，多値AG-ANDフラッシュメモリにおいて高速な書込み転送レートを実現する書込み技術について述べる。多値高速書... [more] | SDM2005-153 ICD2005-92 pp.61-66 |
| ICD | 2005-04-14 16:15 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ ○倉田英明・笹子佳孝・大津賀一雄・有金 剛・河村哲史・小林 孝・久米 均（日立）・本間和樹・小堺健司・野田敏史・伊藤輝彦・清水雅裕・池田良広・土屋 修・古沢和則（ルネサステクノロジ） |
多値高速書込みを実現する4ギガビットAG-AND型フラッシュメモリを90nmプロセスを用いて開発した。反転層をビット線と... [more] | ICD2005-11 pp.53-58 |
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