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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響 ○堀 祐臣・谷田部然治・馬 万程・橋詰 保（北大）  ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 |
原子層堆積法で形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜としてAl2O3/AlGaN/GaNヘテロMOS構造を作製し、形成プロセ... [more] | ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 pp.37-40 |
| ED | 2012-07-26 15:00 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | AlInN/GaN系へテロ構造の表面・界面評価 ○橋詰 保・堀 祐臣・赤澤正道（北大） ED2012-44 |
[more] | ED2012-44 pp.17-20 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 09:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ドライエッチ面を含むAl2O3/AlGaN/GaN構造の界面評価 ○谷田部然治・堀 祐臣・金 聖植・橋詰 保（北大） ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 |
ドライエッチングしたAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った．ドライエッチングには、Cl2/BCl3ガスによるI... [more] | ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 pp.49-52 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響 ○堀 祐臣・金 聖植（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2011-136 MW2011-159 |
[more] | ED2011-136 MW2011-159 pp.97-100 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 13:20 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価 ○金 聖植・堀 祐臣・谷田部然治・橋詰 保（北大） ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 |
ドライエッチングしたGaNおよびAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った。ドライエッチングには、CH4/H2/N... [more] | ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 pp.25-28 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 10:00 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価 ○堀 祐臣・原田脩央・水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 |
GaNおよびAlGaN/GaN構造に対し、原子層堆積法で形成したAl2O3膜、および電気化学酸化法で形成した酸化膜による... [more] | ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 pp.55-58 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3/AlGaN/GaNおよびAl2O3/n-GaN構造における界面特性 ○水江千帆子・堀 祐臣・橋詰 保（北大） ED2009-185 MW2009-168 |
[more] | ED2009-185 MW2009-168 pp.61-64 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 11:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | 原子層堆積により形成したAl2O3/n-GaN構造の界面評価 ○大山公士（北大/Sumitomo Metal Mining）・水江千帆子・堀 祐臣・橋詰 保（北大） ED2009-74 SDM2009-69 |
[more] | ED2009-74 SDM2009-69 pp.109-112 |
| ED | 2009-06-11 16:00 |
東京 | 東京工業大学 | 原子層堆積により形成したAl2O3/AlGaN/GaNの界面評価 ○水江千帆子・堀 祐臣（北大）・ミツェーク マルチン（Silesian Univ. of Tech.）・橋詰 保（北大） ED2009-41 |
[more] | ED2009-41 pp.27-30 |
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