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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
13:50
京都 京大桂キャンパス ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの順方向電流-電圧特性の温度依存性
前田拓也京大)・岡田政也上野昌紀山本喜之住友電工)・堀田昌宏須田 淳京大ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75
 [more] ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75
pp.9-14
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
14:40
京都 京大桂キャンパス ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価
鐘ヶ江一孝金子光顕木本恒暢堀田昌宏須田 淳京大ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77
1016~1020 cm-3の範囲でドーピングされたn型GaN自立基板に対してラマン散乱分光および赤外反射分光を行った。... [more] ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77
pp.21-26
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
13:30
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 グリーンレーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成
仁枝嘉昭高尾 透奈良先端大)・堀田昌宏京大)・佐々木伸夫日本女子大)・石河泰明浦岡行治奈良先端大
 [more]
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
13:10
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析
堀田昌宏京大)・高島信也田中 亮松山秀昭上野勝典江戸雅晴富士電機)・須田 淳京大ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104
低濃度Mgドープp型GaN (Mg濃度$6.5times 10^{16}~mbox{cm}^{-3}$)に対してホール効... [more] ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104
pp.21-25
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
13:35
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 ホール効果測定によるホモエピタキシャル成長低Siドープn型GaNの電気的特性評価
澤田直暉京大)・成田哲生加地 徹上杉 勉豊田中研)・堀田昌宏須田 淳京大ED2015-73 CPM2015-108 LQE2015-105
 [more] ED2015-73 CPM2015-108 LQE2015-105
pp.27-32
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
14:00
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性
前田拓也京大)・岡田政也山本喜之上野昌紀住友電工)・堀田昌宏須田 淳京大ED2015-74 CPM2015-109 LQE2015-106
 [more] ED2015-74 CPM2015-109 LQE2015-106
pp.33-37
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
14:15
京都 京都大学 レーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成
高尾 透堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大EID2014-26 SDM2014-121
フレキシブル・システムオンパネルディスプレイ実現の上で単結晶Geを200℃未満の低温プロセスで非晶質基板上へ作製する技術... [more] EID2014-26 SDM2014-121
pp.67-71
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
17:00
京都 京都大学 水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の形成
梅原智明堀田昌宏吉嗣晃治石河泰明浦岡行治奈良先端大EID2014-36 SDM2014-131
窒化ガリウムパワーデバイス応用を目的として, Al2O3絶縁膜を原子層堆積法(ALD)により堆積した. 堆積サイクルの酸... [more] EID2014-36 SDM2014-131
pp.119-123
SDM 2013-12-13
09:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析
木瀬香保利奈良先端大)・苫井重和出光興産)・上岡義弘山崎はるか浦川 哲奈良先端大)・矢野公規出光興産)・Dapeng Wang古田 守高知工科大)・堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2013-116
近年,a-InGaZnOに代表される高移動度の透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)が報告され,薄膜トランジスタのチャ... [more] SDM2013-116
pp.1-5
SDM 2013-12-13
09:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性
吉嗣晃治梅原智明堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2013-117
原子層堆積法(Atomic layer deposition: ALD)で形成したn-GaN上Al2O3構造に対して,堆... [more] SDM2013-117
pp.7-11
SDM 2011-12-16
10:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ZnS系無機EL蛍光体の発光特性に対する高圧水蒸気熱処理による効果
紺谷拓哉谷口真央堀田昌宏奈良先端大)・田口信義イメージテック)・石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2011-132
硫化亜鉛(ZnS)等の?-?族半導体材料を用いた分散型無機ELは,照明や次世代ディスプレイへの応用が期待されている.スク... [more] SDM2011-132
pp.1-5
SDM 2011-12-16
14:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ゲル-ナノインプリントプロセスによるZnO-2次元フォトニック結晶の作製
張 敏荒木慎司呂 莉堀田昌宏西田貴司石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2011-140
本研究では、プリント技術によるナノ構造体を持った酸化亜鉛(ZnO)形成を目指し、スピンコート法を利用したZnOゲル膜形成... [more] SDM2011-140
pp.43-46
SDM 2011-07-04
16:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用
堀田昌宏奈良先端大/JST)・山崎浩司町田絵美奈良先端大)・石河泰明浦岡行治奈良先端大/JSTSDM2011-68
ガラス基板上に形成された2層積層構造シリコン薄膜に対して, グリーンレーザーアニール(GLA)による同時結晶化を行った.... [more] SDM2011-68
pp.103-108
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-28
14:15
高知 高知工科大学 研究教育棟B 赤外線急速加熱によるZnS系無機ELの作製
堀口昌吾紺谷拓哉堀田昌宏奈良先端大)・田口信義イメージテック)・浦岡行治奈良先端大/JSTEID2010-29
硫化亜鉛(ZnS)等のII-VI族半導体材料を用いた分散型無機ELは,照明や次世代ディスプレイへの応用が期待されている.... [more] EID2010-29
pp.33-36
SDM 2010-12-17
11:00
京都 京都大学(桂) 蛍光体粉末の微粒化処理によるZnS無機ELの発光特性の改善
堀口昌吾紺谷拓哉堀田昌宏奈良先端大)・田口信義イメージテック)・浦岡行治奈良先端大/JSTSDM2010-188
硫化亜鉛(ZnS)等のII-VI族半導体材料を用いた分散型無機ELは,照明や次世代ディスプレイへの応用が期待されている.... [more] SDM2010-188
pp.19-23
SDM 2010-12-17
16:25
京都 京都大学(桂) 裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価
松江将博市川和典赤松 浩神戸高専)・山崎浩司堀田昌宏浦岡行治奈良先端大SDM2010-200
これまで、a-Si/SiO2/a-Siを積層した基板にグリーンレーザーを照射した場合、2層同時結晶化することを報告し、さ... [more] SDM2010-200
pp.83-86
SDM 2010-12-17
17:25
京都 京都大学(桂) 高圧水蒸気熱処理によるa-In2Ga2Zn1O7 TFTの特性改善効果
丸山智己藤井茉美奈良先端大)・笠見雅司矢野公規出光興産)・堀田昌宏石河泰明奈良先端大)・浦岡行治奈良先端大/JSTSDM2010-203
非晶質酸化物半導体(a-IGZO)は,透明フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)を実現する上で,有用な材料である.a-I... [more] SDM2010-203
pp.99-102
SDM 2009-12-04
09:20
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 マイクロ波焼成によるZnS系無機EL蛍光体の発光特性の改善
小林祐輔奈良先端大)・田口信義イメージテック)・須崎昌己阪府高専)・堀田昌宏奈良先端大)・浦岡行治奈良先端大/JSTSDM2009-151
我々はマイクロ波焼成により作製したZnS系蛍光体の光学特性を調査した.今回,2種類の紛体サイズのZnS粉末とZnS+Cu... [more] SDM2009-151
pp.1-4
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