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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2013-01-18
13:25
東京 機械振興会館 ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象,電流コラプス及び耐圧特性の解析
塙 秀之小野寺 啓堀尾和重芝浦工大ED2012-123 MW2012-153
ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象,電流コラプス及び耐圧特性を2次元数値解析し,その結果... [more] ED2012-123 MW2012-153
pp.57-62
ED, MW
(共催)
2012-01-12
12:50
東京 機械振興会館 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析
小野寺 啓中島 敦堀尾和重芝浦工大ED2011-133 MW2011-156
ゲート長やゲート・ドレイン間距離が比較的短いフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの2次元数値解析を行い,耐... [more] ED2011-133 MW2011-156
pp.81-85
MW, ED
(共催)
2011-01-14
09:55
東京 機械振興会館 AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析
小野寺 啓中島 敦堀尾和重芝浦工大ED2010-183 MW2010-143
バッファ層中に深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの2次元過渡解析を行い,ゲートフィールドプ... [more] ED2010-183 MW2010-143
pp.45-50
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
10:50
愛知 名古屋工業大学 AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与えるフィールドプレート効果の2次元解析
中島 敦板垣圭一堀尾和重芝浦工大ED2008-173 CPM2008-122 LQE2008-117
 [more] ED2008-173 CPM2008-122 LQE2008-117
pp.103-108
ED, MW
(共催)
2008-01-16
13:00
東京 機械振興会館 GaN系FETのバッファ層に起因した電流コラプスに与えるフィールドプレートの影響の解析
板垣圭一中島 敦堀尾和重芝浦工大ED2007-206 MW2007-137
 [more] ED2007-206 MW2007-137
pp.1-5
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
10:50
福井 福井大学 AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析
中島 敦堀尾和重芝浦工大ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70
半絶縁バッファ層中の深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの2次元過渡解析を行い,その結果より... [more] ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70
pp.67-72
ED, MW
(共催)
2006-01-19
10:20
東京 機械振興会館 GaN系FETにおける緩やかな電流応答と電流コラプスの解析
高柳大樹・○板垣圭一仲野博之堀尾和重芝浦工大
半絶縁バッファ層中の深いドナーと深いアクセプタを考慮したGaN MESFETの2次元過渡解析を行い,その結果より模擬的な... [more] ED2005-199 MW2005-153
pp.1-6
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