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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2010-01-15
11:20
東京 機械振興会館 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ
半谷政毅垂井幸宣加茂宣卓檜枝護重三菱電機ED2009-194 MW2009-177
X帯において50%の比帯域を有する高耐電力T/Rスイッチを開発した.本回路はSeries/Shunt-Shunt併用形構... [more] ED2009-194 MW2009-177
pp.111-115
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