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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
13:55
ONLINE オンライン開催 Ⅲ族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定
小笠原健太金沢工大)・坂井繁太奥村忠嗣難波江宏一ウシオ電機)・山口敦史金沢工大ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33
InGaNはInNとGaNの混晶であり,In組成を変化させることで理論上では可視光のあらゆる波長領域で発光可能な半導体材... [more] ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33
pp.33-36
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
10:05
ONLINE オンライン開催 光音響・発光同時計測法と積分球法によるInGaN量子井戸の内部・外部量子効率推定
森 恵人高橋佑知坂井繁太森本悠也山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニーED2020-1 CPM2020-22 LQE2020-52
我々はこれまでにInGaN量子井戸(QW)の内部量子効率(IQE)を正確に測定する手法として,光音響(PA)・発光(PL... [more] ED2020-1 CPM2020-22 LQE2020-52
pp.1-4
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
14:00
静岡 静岡大学(浜松) InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討
藤田貴志坂井繁太池田優真山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニーED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99
InGaN混晶は、組成を変えることで理論上可視光域全域をカバー可能な半導体材料である。InGaN量子井戸における組成揺ら... [more] ED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99
pp.97-100
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
13:05
愛知 名古屋工業大学 InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討
藤田貴志坂井繁太池田優真山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニーED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102
InGaNはInNとGaNの混晶であり、組成を変えることでバンドギャップの調整ができる。InGaN量子井戸における組成揺... [more] ED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102
pp.75-78
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
13:30
愛知 名古屋工業大学 光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価
大島一輝池田優真坂井繁太山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニーED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103
InGaN量子井戸(QW)では、In組成揺らぎや井戸幅揺らぎに起因してポテンシャル揺らぎが顕著に現れる。これまでに、この... [more] ED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103
pp.79-82
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
13:35
愛知 名古屋工業大学 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の測定
清水奈緒人高橋佑知小林玄季中納 隆坂井繁太山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニーED2017-49 CPM2017-92 LQE2017-62
 [more] ED2017-49 CPM2017-92 LQE2017-62
pp.1-6
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
14:00
愛知 名古屋工業大学 InGaN発光ダイオードの光励起時のI-V特性/発光特性のモデル解析
太田有亮坂井繁太山口敦史金沢工大ED2017-50 CPM2017-93 LQE2017-63
窒化物半導体LEDの活性層の電子状態やキャリアダイナミクスについての知見を得るために、LEDの光励起下での電流-電圧特性... [more] ED2017-50 CPM2017-93 LQE2017-63
pp.7-10
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
14:25
愛知 名古屋工業大学 InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析
池田優真坂井繁太大島一輝山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニーED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64
LEDやレーザダイオードの発光層として用いられるInGaN量子井戸において、PLピークエネルギーのS字型温度依存性(S-... [more] ED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64
pp.11-14
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
08:40
京都 京大桂キャンパス 半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上
松浦圭吾坂井繁太山口敦史金沢工大ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83
我々は、低コスト高性能緑色半導体レーザの実現に向け、へき開面を共振器ミラーとして利用した半極性面上InGaN量子井戸構造... [more] ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83
pp.51-54
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
13:40
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 非極性InGaN量子井戸の偏光特性
坂井繁太山口敦史金沢工大)・栗原 香長尾 哲三菱化学ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106
非極性InGaN量子井戸を活性層に利用した素子の設計において偏光特性は重要な要素とされている. 一般的に, この偏光特性... [more] ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106
pp.23-26
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