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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2018-06-25
15:35
愛知 名古屋大学 VBL3F 酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果
土井拓馬名大)・竹内和歌奈愛知工大)・坂下満男名大)・田岡紀之産総研)・中塚 理財満鎭明名大
SiCを用いたパワーMOSFETの省電力化には、絶縁膜/SiC界面の界面準位密度の低減が必須である。本研究では、現在主流... [more] SDM2018-23
pp.33-36
SDM 2017-06-20
16:30
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価
金田裕一池 進一兼松正行坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
Ge1-xSnxチャネルデバイスの実現には絶縁膜/Ge1-xSnx界面およびGe1-xSnx層中の欠陥制御が必要不可欠で... [more] SDM2017-29
pp.39-42
SDM 2016-06-29
13:50
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価
金田裕一兼松正行坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
 [more] SDM2016-39
pp.37-41
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
14:20
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 [招待講演]Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価
志村洋介静岡大)・竹内和歌奈坂下満男黒澤昌志中塚 理財満鎭明名大
Si基板上への電子デバイスおよび光学デバイス集積に、Siプロセスへの親和性が高く、歪およびエネルギーバンドギャップの制御... [more] SDM2016-5 OME2016-5
pp.23-26
SDM 2015-06-19
11:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響
竹内和歌奈名大)・山本建策デンソー)・坂下満男名大)・金村髙司デンソー)・中塚 理財満鎭明名大
SiO2/4H-SiC界面特性に対するNOガス雰囲気熱処理の効果を調べた。NOガス雰囲気熱処理MOSキャパシタ試料の電気... [more] SDM2015-43
pp.27-30
SDM 2015-06-19
14:35
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
鈴木陽洋柴山茂久坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の... [more] SDM2015-49
pp.57-61
SDM 2015-06-19
14:55
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
浅野孝典柴山茂久竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大
Ge1-xSnx半導体のキャリア密度の制御のためには、禁制帯中にacceptor-likeな準位を形成する欠陥の理解と制... [more] SDM2015-50
pp.63-68
OME, SDM
(共催)
2015-04-30
10:00
沖縄 大濱信泉記念館多目的ホール [招待講演]高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ~ 直接遷移構造化を目指して ~
黒澤昌志竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大
光通信帯域(波長: 1.5 $mu$m)に合致する光学材料として,我々はシリコンスズ(SiSn)半導体に着目している.格... [more] SDM2015-9 OME2015-9
pp.35-37
SDM 2015-03-02
11:35
東京 機械振興会館 [招待講演]エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御
中塚 理鄧 云生鈴木陽洋坂下満男田岡紀之財満鎭明名大
省電力・高速Geデバイスの実現には、金属/Ge接合のコンタクト抵抗低減に向けた界面電子物性の制御が必要不可欠である。本研... [more] SDM2014-165
pp.17-22
SDM 2014-06-19
10:10
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減
鈴木陽洋朝羽俊介横井 淳黒澤昌志加藤公彦坂下満男田岡紀之中塚 理財満鎭明名大
 [more] SDM2014-45
pp.11-16
SDM 2014-06-19
16:55
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ~ 低融点Snの活用 ~
黒澤昌志名大/学振)・田岡紀之名大)・池上 浩九大)・竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大
積層型 CMOS 回路や近赤外・中赤外光フォトディテクタの新規材料として,我々は IV 族多元半導体(GeSn, SiS... [more] SDM2014-60
pp.91-95
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
14:20
愛知 名古屋大学VBL3階 n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用
竹内和歌奈田岡紀之坂下満男中塚 理財満鎭明名大
Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Tra... [more] ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39
pp.113-118
SDM 2013-06-18
09:00
東京 機械振興会館 酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御
加藤公彦坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大
Higher-kゲート絶縁膜として着目される六方晶Pr酸化膜の実現に向け,Pr酸化膜形成時のH2O分圧(PH2O)やPr... [more] SDM2013-44
pp.1-6
SDM 2013-06-18
09:20
東京 機械振興会館 テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成
吉田鉄兵加藤公彦柴山茂久坂下満男田岡紀之竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には,良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成,お... [more] SDM2013-45
pp.7-11
SDM 2013-06-18
09:40
東京 機械振興会館 Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響
柴山茂久加藤公彦坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大
現在,Al2O3/Ge構造に対するプラズマ酸化で,極薄GeOx界面層の形成により,低界面準位密度(Dit)が実現可能と報... [more] SDM2013-46
pp.13-18
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
08:45
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Potential of GeSn Alloys for Application to Si Nanoelectronics
Shigeaki ZaimaYosuke ShimuraMarika NakamuraWakana TakeuchiMitsuo SakashitaOsamu NakatsukaNagoya Univ.
 [more]
SDM 2012-06-21
10:55
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明
柴山茂久名大)・加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大
高駆動力 Ge MOSFETの実現には,低界面準位密度(Dit)かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] SDM2012-48
pp.27-32
SDM 2012-06-21
11:35
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響
加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大
本研究では,金属/Pr酸化膜/Geゲートスタック構造の化学結合状態にゲート金属が与える影響について,酸素化学ポテンシャル... [more] SDM2012-50
pp.37-42
SDM 2011-07-04
11:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure
Kusuman DariWakana TakeuchiKimihiko KatoShigehisa ShibayamaMitsuo SakashitaOsamu NakatsukaShigeaki ZaimaNagoya Univ.
We have investigated the effect of light induced damages on ... [more] SDM2011-57
pp.41-46
SDM 2011-07-04
13:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果
柴山茂久名大)・加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
次世代CMOSの実現に向けて,低い界面準位密度(<1011 cm-2-eV-1)と低SiO2等価膜厚(1 nm)とを同時... [more] SDM2011-59
pp.51-56
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