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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2022-08-04
16:15
北海道 北見工業大学 マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素膜特性への水素ガスの効果
西田竜也谷口 颯小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・吹留博一東北大)・中澤日出樹弘前大
 [more]
SDM 2022-06-21
14:30
愛知 名古屋大学 VBL3F [依頼講演]オペランド・ナノX線分光を活用した次世代高周波デバイス研究
吹留博一東北大SDM2022-27
DGs実現に向けて、低環境負荷物質を駆使してデバイス、例えば、二次元物質を用いた超高速トランジスタを開発しなければならな... [more] SDM2022-27
pp.13-15
ED, THz
(共催)
2021-12-20
17:15
宮城 東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
動作しているGaN-HEMTの表面電子捕獲の時空間ダイナミクスの観測
吹留博一東北大ED2021-58
GaN-HEMTの電流コラプス現象の大きな要因である表面電子捕獲は、重要な研究課題である。高い時空間分解能を有する。我々... [more] ED2021-58
pp.48-52
CPM 2020-10-29
15:10
ONLINE オンライン開催 マグネトロンスパッタ法を用いて作製したBCN膜特性への水素の効果
谷口 颯郡山春人小林康之遠田義晴弘前大)・吹留博一東北大)・中澤日出樹弘前大CPM2020-17
 [more] CPM2020-17
pp.23-26
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
14:55
宮城 東北大学・電気通信研究所 光励起多層グラフェンにおける広帯域テラヘルツ光放射の観測
込山貴大渡辺隆之東北大)・セルゲイ モロゾフミカイル ファディーフウラジーミル ウートチキンIPM-RAS)・吹留博一佐藤 昭尾辻泰一東北大ED2019-80
SiC基板のC面上に熱分解により成長させたNon-Bernal積層エピタキシャル多層グラフェンを波長2.3 μmの近赤外... [more] ED2019-80
pp.17-20
ED, THz
(共催)
2018-12-17
16:35
宮城 東北大・通研 SiC表面分解により生成したグラフェンの層間結合力測定
田邉匡生唐 超布施吉貴菅原健太込山貴大佐藤陽平吹留博一尾辻泰一小山 裕東北大ED2018-59
ファンデルワールス力は1937年にロンドンにより説明されているが、80年が経過した現在でも測定されていない。本研究は2次... [more] ED2018-59
pp.25-26
ED, THz
(共催)
2017-12-19
15:10
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 デュアルゲートグラフェンFETの相互コンダクタンスの温度依存性
菅原健太渡辺隆之ヤダフ ディピカ込山貴大布施吉貴東北大)・リジー マキシム会津大)・リジー ヴィクトール吹留博一末光眞希尾辻泰一東北大ED2017-91
デュアルゲートグラフェンFET(DG-GFET)の相互コンダクタンスの温度特性に関する実験結果を報告する.SiC基板の熱... [more] ED2017-91
pp.73-76
CS, OCS
(併催)
2016-01-22
09:50
鹿児島 鹿児島大学 稲盛アカデミー(郡元キャンパス) 次世代フルコヒーレントアクセスネットワークに向けたグラフェンチャネルFET及びInP系HEMTによるサブテラヘルツ帯光電子融合周波数変換
菅原健太玉虫 元アドリアン ドブロユ吉田智洋末光哲也吹留博一末光眞希リズィー ビクトール岩月勝美東北大)・桑野 茂可児淳一寺田 純NTT)・尾辻泰一東北大OCS2015-95
グラフェンチャネルFET(G-FET),及びInP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を試作し,それらトランジスタを用... [more] OCS2015-95
pp.41-46
ED 2015-12-21
15:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出
玉虫 元菅原健太佐藤 昭田島圭一郎吹留博一末光眞希尾辻泰一東北大ED2015-95
半絶縁性4H-SiC(0001 ̅)面基板の熱分解法により得られたエピタキシャルグラフェン(EG)を用いてグラ... [more] ED2015-95
pp.25-30
ED 2013-04-19
11:35
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成
舩窪一智猪俣州哉佐藤 良朴 君昊東北大)・小嗣真人高輝度光科学研究センター)・吹留博一末光真希東北大ED2013-15
Si代替FETチャネル材料として高移動度の新素材グラフェンが近年注目されている。しかし、現在報告されているグラフェンFE... [more] ED2013-15
pp.59-62
ED 2012-04-18
13:25
山形 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御
吹留博一川合祐輔末光眞希東北大ED2012-2
我々は、次世代デバイス材料:グラフェンのSi基板へのエピ成長に成功している。このエピグラフェンのデバイス応用に向けては、... [more] ED2012-2
pp.5-7
ED 2009-04-24
09:50
宮城 東北大学電気通信研究所 Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術
半田浩之宮本 優齋藤英司吹留博一伊藤 隆東北大)・末光眞希東北大/JSTED2009-10
近年,産業への適応性から,SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている.しか... [more] ED2009-10
pp.39-43
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