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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, EMD, R, CPM
(共催)
2016-08-25
14:25
北海道 函館ロワジールホテル [招待講演]紫外域AlGaNレーザーダイオードの進展
吉田治正武富浩幸青木優太高木康文杉山厚志桑原正和山下陽滋大河原 悟前田純也浜松ホトニクスR2016-26 EMD2016-30 CPM2016-39 OPE2016-60 LQE2016-35
紫外レーザーダイオード(LD)のワットクラスの高出力化と発振波長326nmへの短波長化など最近の成果について報告する.ま... [more] R2016-26 EMD2016-30 CPM2016-39 OPE2016-60 LQE2016-35
pp.35-40
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
11:50
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 減圧MOVPE法によるAlGaN多重量子井戸構造の緩衝層の効果
中濵和大三重大)・福世文嗣浜松ホトニクス)・三宅秀人平松和政三重大)・吉田治正小林祐二浜松ホトニクスED2014-76 CPM2014-133 LQE2014-104
 [more] ED2014-76 CPM2014-133 LQE2014-104
pp.15-18
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-21
15:40
北海道 小樽経済センター [依頼講演]900nm帯高出力半導体レーザーバーの開発
影山進人森田剛徳鳥井康介長倉建人高氏基喜前田純也吉田治正浜松ホトニクスR2014-31 EMD2014-36 CPM2014-51 OPE2014-61 LQE2014-35
固体レーザー,ファイバーレーザーの励起用光源や直接集光型レーザー加工用光源に用いられる,900 nm帯高出力半導体レーザ... [more] R2014-31 EMD2014-36 CPM2014-51 OPE2014-61 LQE2014-35
pp.45-49
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-22
09:35
北海道 小樽経済センター [招待講演]紫外半導体レーザーの現状と展望
吉田治正・○青木優太桑原正和山下陽滋鳥井康介杉山厚志森田剛徳浜松ホトニクスR2014-37 EMD2014-42 CPM2014-57 OPE2014-67 LQE2014-41
紫外レーザーダイオード(LD)の現状として,我々が進めてきたAlGaN系紫外LDの短波長化を中心に述べ,さらに最近の成果... [more] R2014-37 EMD2014-42 CPM2014-57 OPE2014-67 LQE2014-41
pp.71-75
OPE, LQE, CPM, EMD, R
(共催)
2013-08-29
16:30
北海道 サンリフレ函館 [依頼講演]915nm半導体レーザーの高出力化における窓構造とその特性
吉田治正森田剛徳長倉建人鳥井康介高氏基喜前田純也浜松ホトニクスR2013-42 EMD2013-48 CPM2013-67 OPE2013-71 LQE2013-41
IFVD (Impurity-Free Vacancy Disordering)法によって窓構造を形成した915nm高出... [more] R2013-42 EMD2013-48 CPM2013-67 OPE2013-71 LQE2013-41
pp.71-75
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
14:05
大阪 大阪市立大学 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用
落合俊介高木麻有奈三重大)・福世文嗣三重大/浜松ホトニクス)・三宅秀人平松和政三重大)・小林祐二吉田治正浜松ホトニクスED2012-85 CPM2012-142 LQE2012-113
AlxGa1-xNはAlNモル分率x を変化させることで,210から365 nmまでの広い紫外発光波長域をカバーできるこ... [more] ED2012-85 CPM2012-142 LQE2012-113
pp.93-96
LQE 2010-12-17
17:15
東京 機械振興会館 紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ
吉田治正桑原正和山下陽滋内山和也菅 博文浜松ホトニクスLQE2010-128
AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した.GaN/AlGaNおよびAl... [more] LQE2010-128
pp.63-67
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
13:50
大阪 阪大 中ノ島センター 電子線励起法による深紫外光源用 Si-doped AlGaN の作製と特性評価
島原佑樹三宅秀人平松和政三重大)・福世文嗣岡田知幸高岡秀嗣吉田治正浜松ホトニクス
 [more]
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
09:50
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性
島原佑樹武富浩幸三宅秀人平松和政三重大)・福世文嗣岡田知幸高岡秀嗣吉田治正浜松ホトニクスED2009-130 CPM2009-104 LQE2009-109
減圧MOVPE法によりAlN/sapphire基板を下地としたAlGaN膜の成長を,反射光を用いたその場観察によって成長... [more] ED2009-130 CPM2009-104 LQE2009-109
pp.9-12
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
15:45
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード
吉田治正桑原正和山下陽滋高木康文内山和也菅 博文浜松ホトニクスED2009-141 CPM2009-115 LQE2009-120
AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した.GaN/AlGaNおよびAl... [more] ED2009-141 CPM2009-115 LQE2009-120
pp.61-64
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
16:10
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) UVレーザダイオードの動作電圧の低減
市川友紀竹田健一郎小木曽裕二永田賢吾岩谷素顕上山 智天野 浩赤崎 勇名城大)・吉田治正桑原正和山下陽滋菅 博文浜松ホトニクスED2009-142 CPM2009-116 LQE2009-121
?族窒化物半導体AlGaNを用いた波長350nm以下の紫外(Ultraviolet : UV)レーザダイオード(Lase... [more] ED2009-142 CPM2009-116 LQE2009-121
pp.65-69
ED, CPM, SDM
(共催)
2009-05-15
13:00
愛知 豊橋技科大サテライトオフィス AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光
武富浩幸三宅秀人平松和政三重大)・福世文嗣岡田知幸高岡秀嗣吉田治正浜松ホトニクスED2009-32 CPM2009-22 SDM2009-22
発光素子,受光素子などの短波長化にともない高Alモル分率AlGaNの高品質化,発光効率の向上が求められている.本研究では... [more] ED2009-32 CPM2009-22 SDM2009-22
pp.77-81
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