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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2009-11-13
15:25
東京 機械振興会館 High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション
鈴木 研伊藤雄太井上達也三浦英生東北大)・吉川英樹小林啓介物質・材料研究機構)・寒川誠二東北大SDM2009-149
原子・分子レベルでアプローチ可能な方法論として計算化学的手法に着目し,High-k絶縁膜と金属電極界面の健全性に及ぼす点... [more] SDM2009-149
pp.79-84
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