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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 14:55 |
大阪 | 大阪市立大学 | InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響 ○今井大地・石谷善博（千葉大）・王 新強（北京大物理学院）・草部一秀・吉川明彦（千葉大）  ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115 |
InNのバンド端発光効率低下を引き起こす深い準位を介したキャリア状態遷移過程について，熱活性型状態遷移過程、非輻射性再結... [more] | ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115 pp.103-108 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 17:35 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて ～ 発光素子から太陽電池への展開 ～ ○草部一秀・石谷善博・吉川明彦（千葉大） ED2009-145 CPM2009-119 LQE2009-124 |
InNの物性を活かした光デバイス開発には、（1) InNおよび高In組成窒化物混晶のｐ型伝導制御、および(2) 構造的完... [more] | ED2009-145 CPM2009-119 LQE2009-124 pp.81-84 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 15:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | P型伝導InN実現とその物性評価 ～ 現状と問題点について ～ ○吉川明彦・王 新強・崔 成伯・石谷善博（千葉大） ED2008-162 CPM2008-111 LQE2008-106 |
[more] | ED2008-162 CPM2008-111 LQE2008-106 pp.45-50 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 15:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス ○崔 成伯・結城明彦・渡邊宏志・石谷善博・吉川明彦（千葉大） ED2008-163 CPM2008-112 LQE2008-107 |
高効率青緑域発光デバイスへの応用を目指した1分子層InN/InGaN/GaN量子井戸構造の結晶成長およびその発光ダイオー... [more] | ED2008-163 CPM2008-112 LQE2008-107 pp.51-56 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 14:40 |
福井 | 福井大学 | 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製 ○橋本直樹・結城明彦・斉藤英幸（千葉大）・王 新強（JST）・崔 成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大/JST） ED2007-175 CPM2007-101 LQE2007-76 |
RF-MBE法によるGa極性GaN上のInN超薄膜成長メカニズムを明らかにするするため、InN供給量に対するInN層厚の... [more] | ED2007-175 CPM2007-101 LQE2007-76 pp.93-96 |
| CPM | 2006-11-09 15:20 |
石川 | 金沢大学 | RF-MBE法により成長したAlInN薄膜のCL測定による評価 ○味村 裕・寺嶋 亘（千葉大）・崔 成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大/JST） |
[more] | CPM2006-117 pp.25-30 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 11:40 |
滋賀 | 立命館大学 | AlInN3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価 ○寺嶋 亘・崔 成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大） |
[more] | ED2005-124 CPM2005-111 LQE2005-51 pp.29-34 |
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