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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 14:25 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
MOCVD法におけるシミュレーションを活用したGaN成長条件の最適化 ○吉岡尚輝・畠中 奨・野々田亮平・小島善樹（三菱電機）  ED2023-66 MW2023-158 |
GaNの高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor : HEMT)は所... [more] | ED2023-66 MW2023-158 pp.4-6 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 16:00 |
京都 | 京都大学 | Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果 ○吉岡尚輝・秋田佳輝・部家 彰・松尾直人（兵庫県立大）・小濱和之・伊藤和博（阪大） EID2017-26 SDM2017-87 |
[more] | EID2017-26 SDM2017-87 pp.77-80 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 16:15 |
京都 | 京都大学 | 円柱状Ge膜のFLA結晶化における光学的バンドギャップの効果 ○吉岡尚輝・部家 彰・松尾直人・秋田佳輝（兵庫県立大） EID2017-27 SDM2017-88 |
[more] | EID2017-27 SDM2017-88 pp.81-84 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 14:15 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Ⅳ族非晶質薄膜のフラッシュランプ結晶化における熱力学的考察 ○松尾直人・吉岡尚輝・部家 彰（兵庫県立大）・中村祥章・横森岳彦・吉岡正樹（ウシオ電機） EID2016-20 SDM2016-101 |
[more] | EID2016-20 SDM2016-101 pp.49-54 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 14:30 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | アイランド状a-Ge膜のFLA結晶化 ○吉岡尚輝・部家 彰・松尾直人（兵庫県立大）・中村祥章・横森岳彦・吉岡正樹（ウシオ電機） EID2016-21 SDM2016-102 |
[more] | EID2016-21 SDM2016-102 pp.55-58 |
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