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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2019-01-17
15:50
東京 日立中研 GaN-on-GaN構造の採用による転位密度低減に伴う高電界ストレスに対する電流コラプス特性の改善効果
今井章文吉嗣晃治南條拓真綿引達郎山向幹雄三菱電機ED2018-79 MW2018-146
 [more] ED2018-79 MW2018-146
pp.59-62
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
17:00
京都 京都大学 水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の形成
梅原智明堀田昌宏吉嗣晃治石河泰明浦岡行治奈良先端大EID2014-36 SDM2014-131
窒化ガリウムパワーデバイス応用を目的として, Al2O3絶縁膜を原子層堆積法(ALD)により堆積した. 堆積サイクルの酸... [more] EID2014-36 SDM2014-131
pp.119-123
SDM 2013-12-13
09:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性
吉嗣晃治梅原智明堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2013-117
原子層堆積法(Atomic layer deposition: ALD)で形成したn-GaN上Al2O3構造に対して,堆... [more] SDM2013-117
pp.7-11
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