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講演検索結果
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 26件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-11-08
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション
服部淳一池上 努福田浩一太田裕之右田真司浅井栄大産総研
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more]
SDM 2019-01-29
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響
太田裕之池上 努福田浩一服部淳一浅井栄大遠藤和彦右田真司産総研)・鳥海 明東大
本研究では,マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] SDM2018-81
pp.1-4
SDM 2019-01-29
09:55
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析
右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大
最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によ... [more] SDM2018-82
pp.5-8
SDM 2018-11-09
14:20
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション
服部淳一池上 努福田浩一太田裕之右田真司浅井栄大産総研
ゲート絶縁膜の一つに強誘電体膜を持ち,その負性容量状態を利用する負性容量トランジスタについて,その振る舞いをシミュレーシ... [more] SDM2018-74
pp.47-52
SDM 2018-06-25
16:15
愛知 名古屋大学 VBL3F HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題
右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大
HfO2系強誘電体薄膜は従来の強誘電体酸化物材料にない多くの優れた特性を備えており、LSI用の次世代メモリ材料として様々... [more] SDM2018-25
pp.43-46
SDM 2018-01-30
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察
太田裕之右田真司池上 努服部淳一浅井栄大福田浩一産総研)・鳥海 明東大
 [more] SDM2017-91
pp.1-4
SDM 2018-01-30
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties
Xuan TianLun XuShigehisa ShibayamaTomonori NishimuraTakeaki YajimaUniv. of Tokyo)・Shinji MigitaAIST)・Akira ToriumiUniv. of Tokyo
5-nm-thick ferroelectric Y-doped HfO2 was intensively studie... [more] SDM2017-96
pp.21-24
SDM 2017-01-30
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上
森 貴洋浅井栄大服部淳一福田浩一大塚慎太郎森田行則大内真一更田裕司右田真司水林 亘太田裕之松川 貴産総研
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて,シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した.I... [more] SDM2016-130
pp.1-4
SDM 2017-01-30
11:30
東京 機械振興会館 [招待講演]サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション
太田裕之池上 勉服部淳一福田浩一右田真司産総研)・鳥海 明東大
サブ10nm 世代の負性容量FinFET(NC-FinFET)のデバイス特性を新開発のtechnology comput... [more] SDM2016-133
pp.13-16
SDM 2017-01-30
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation
Xu LunShibayama ShigehisaIzukashi KazutakaNishimura TomonoriYajima TakeakiUniv. of Tokyo)・Migita ShinjiAIST)・Toriumi AkiraUniv. of Tokyo
 [more] SDM2016-137
pp.29-32
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
09:00
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価
大内真一柳 永勛堀 洋平入沢寿史更田裕司森田行則右田真司森 貴洋中川 格塚田順一小池汎平昌原明植松川 貴産総研
 [more] SDM2016-60 ICD2016-28
pp.83-87
SDM 2016-06-29
10:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針
太田裕之右田真司服部淳一福田浩一産総研)・鳥海 明東大
本研究では負性容量を用いて急峻なサブスレショルド係数(SS)を実現するための完全空乏型silicon-on-insula... [more] SDM2016-34
pp.9-13
SDM 2016-01-28
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]トンネルトランジスタにおけるBTIの理解
水林 亘森 貴洋福田浩一石川由紀森田行則右田真司太田裕之柳 永勛大内真一塚田順一山内洋美松川 貴昌原明植遠藤和彦産総研
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] SDM2015-122
pp.9-12
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
11:30
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 超分子タンパク質を利用した超微細FETへのメモリ応用
番 貴彦上沼睦典奈良先端大)・右田真司産総研)・石河泰明山下一郎浦岡行治奈良先端大
チャネル長3.6 nmの超微細FET であるV溝型のJunction-less FET(JL-FET)に対し、そのV溝底... [more] EID2015-11 SDM2015-94
pp.9-12
SDM 2015-01-27
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測
水林 亘森 貴洋福田浩一柳 永勛松川 貴石川由紀遠藤和彦大内真一塚田順一山内洋美森田行則右田真司太田裕之昌原明植産総研
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs(TFETs)のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] SDM2014-143
pp.33-36
SDM 2015-01-27
16:20
東京 機械振興会館 [招待講演]非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善
松川 貴福田浩一柳 永勛塚田順一山内洋美石川由紀遠藤和彦大内真一右田真司水林 亘森田行則太田裕之昌原明植産総研
 [more] SDM2014-145
pp.41-44
SDM 2015-01-27
16:45
東京 機械振興会館 [招待講演]Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証
森田行則森 貴洋福田浩一水林 亘右田真司松川 貴遠藤和彦大内真一柳 永勛昌原明植太田裕之産総研
FinFET型チャネルを持つトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFinFET)をSi CMOSプラットフォームにおいて... [more] SDM2014-146
pp.45-48
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:05
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策
森 貴洋森田行則右田真司水林 亘福田浩一宮田典幸安田哲二昌原明植太田裕之産総研
低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最... [more] SDM2014-67 ICD2014-36
pp.29-34
ICD 2014-04-18
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術
昌原明植遠藤和彦大内真一松川 貴柳 永勛右田真司水林 亘森田行則太田裕之産総研
20nm技術世代以降の集積回路における最大の課題は,トランジスタ微細化に伴う待機時消費電力の増大と,顕在化する特性ばらつ... [more] ICD2014-15
pp.77-82
SDM 2014-01-29
10:50
東京 機械振興会館 [招待講演]高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術
水林 亘産総研)・おの田 博中島良樹日新イオン機器)・石川由紀松川 貴遠藤和彦Yongxun Liu大内真一塚田順一山内洋美右田真司森田行則太田裕之昌原明植産総研
高温イオン注入がメタルゲート/high-k CMOS SOI FinFETsの性能及び信頼性に及ぼす影響について調べた。... [more] SDM2013-138
pp.13-16
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