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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2008-06-10
10:55
東京 東京大学(生産研 An棟) High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割
岩本邦彦上牟田雄一半導体MIRAI-ASET)・布重 裕芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC)・平野晃人小川有人渡邉幸宗半導体MIRAI-ASET)・右田慎二水林 亘森田行則半導体MIRAI-産総研ASRC)・高橋正志半導体MIRAI-ASET)・太田裕之半導体MIRAI-産総研ASRC)・生田目俊秀半導体MIRAI-ASET)・鳥海 明半導体MIRAI-産総研ASRC/東大SDM2008-51
 [more] SDM2008-51
pp.53-58
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