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 23件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OME, SDM
(共催)
2022-04-22
14:10
宮崎 高千穂ホール(宮崎市)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
熱処理による酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性改善メカニズムと低温化
Rostislav Velichko高知工科大)・曲 勇作島根大)・○古田 守高知工科大SDM2022-4 OME2022-4
代表的な金属酸化物半導体薄膜トランジスタ(TFT)であるIn–Ga–Zn–O (IGZO) TFTは10 cm2/Vsを... [more] SDM2022-4 OME2022-4
pp.17-20
OME, SDM
(共催)
2022-04-23
11:50
宮崎 高千穂ホール(宮崎市)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]固相結晶化In2O3:Hによる薄膜トランジスタの高移動度化(>100 cm2V-1s-1)
曲 勇作島根大)・片岡大樹高知工大)・葉 文昌島根大)・古田 守高知工大SDM2022-13 OME2022-13
本研究では低温で固相結晶化した水素化多結晶酸化インジウム(In2O3:H)薄膜の金属から半導体への転移に成功し、酸化物半... [more] SDM2022-13 OME2022-13
pp.61-64
SDM, OME
(共催)
2021-04-23
15:50
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]酸化物半導体による多結晶シリコン薄膜トランジスタへの挑戦
古田 守高知工科大SDM2021-5 OME2021-5
 [more] SDM2021-5 OME2021-5
pp.19-21
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
14:30
ONLINE オンライン開催 [特別招待講演]酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用
曲 勇作古田 守高知工科大EID2020-10 SDM2020-44
非晶質酸化物半導体であるIn–Ga–Zn–O(IGZO)は室温スパッタ成膜可能なことからフレキシブルデバイスの半導体材料... [more] EID2020-10 SDM2020-44
pp.37-41
SDM, OME
(共催)
2020-04-14
10:40
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行なし)
[招待講演]酸化物半導体による多結晶シリコン薄膜トランジスタへの挑戦
古田 守高知工科大
 [more]
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-24
11:10
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用
河野守哉森 海是友大地古田 守高知工科大EID2019-16
フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)... [more] EID2019-16
pp.129-131
OME, SDM
(共催)
2019-04-26
15:20
鹿児島 屋久島環境文化村センター 非晶質酸化物半導体In-Ga-Zn-Oヘテロ接合チャネル薄膜トランジスタ
古田 守是友大地東 龍之介濱田秀平高知工科大SDM2019-6 OME2019-6
 [more] SDM2019-6 OME2019-6
pp.23-26
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
11:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 ミストCVD法によるGTO薄膜を用いたデバイス
滝下雄太龍谷大)・是友大地曲 勇作古田 守高知工科大)・松田時宜木村 睦龍谷大
 [more]
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
14:30
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 Ga-Sn-O薄膜の熱電特性及び構造のアニール依存性
池口 翼荒牧達也龍谷大)・梅田鉄馬上沼睦典奈良先端大)・是友大地曲 勇作古田 守高知工科大)・木村 睦龍谷大
 [more]
SDM, OME
(共催)
2018-04-07
13:10
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性制御
古田 守アマン S G メハディ是友大地曲 勇作高知工科大SDM2018-6 OME2018-6
酸化物半導体をチャネル材料とした薄膜トランジスタ(TFT)は、従来の非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移... [more] SDM2018-6 OME2018-6
pp.25-28
SDM, OME
(共催)
2018-04-07
13:50
沖縄 沖縄県青年会館 InGaZnOxヘテロチャネルによる薄膜トランジスタ
東 龍之介是友大地田中宏怜高知工科大)・髙橋誠一郎八島 勇三井金属鉱業)・○古田 守高知工科大SDM2018-7 OME2018-7
In–Ga–Zn–O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)は非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移動度を有す... [more] SDM2018-7 OME2018-7
pp.29-31
SDM, OME
(共催)
2018-04-07
14:15
沖縄 沖縄県青年会館 InGaZnOX/AgOX酸化物ヘテロSchottky界面の起源とフレキシブルデバイス応用
曲 勇作牧野久雄橋本慎輔濵田賢一朗増田健太郎古田 守高知工科大SDM2018-8 OME2018-8
In–Ga–Zn–O (IGZO)と酸化銀(AgOX)の酸化物ヘテロ接合は一般的な金属-酸化物半導体接合より良好なSch... [more] SDM2018-8 OME2018-8
pp.33-36
SDM, OME
(共催)
2016-04-09
10:10
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 [招待講演]フレキシブルデバイスに向けた低温プロセス自己整合型InGaZnO薄膜トランジスタ
古田 守戸田達也辰岡玄悟曲 勇作高知工科大SDM2016-13 OME2016-13
 [more] SDM2016-13 OME2016-13
pp.53-56
SDM, OME
(共催)
2016-04-09
10:50
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 ~ バックチャネルキャリア濃度の影響 ~
是友大地戸田達也高知工科大)・松田時宜木村 睦龍谷大)・古田 守高知工科大SDM2016-14 OME2016-14
デバイスシミュレータ(ATLAS)を用い、In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるバックチャネル... [more] SDM2016-14 OME2016-14
pp.57-60
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2016-01-28
15:04
富山 富山大学 プラズマ処理による低抵抗IGZO領域の形成とセルフアライン型TFTへの応用 ~ プラズマ処理時の基板バイアスの効果 ~
曲 勇作戸田達也牧野久雄古田 守高知工科大EID2015-31
 [more] EID2015-31
pp.41-44
OME, SDM
(共催)
2015-04-29
17:05
沖縄 大濱信泉記念館多目的ホール フッ素による酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの欠陥終端効果と信頼性に及ぼす影響
古田 守ジャン ジンシン辰岡玄悟王 大鵬高知工科大SDM2015-8 OME2015-8
本研究では酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるフッ素による欠陥終端効果とその信頼性影響... [more] SDM2015-8 OME2015-8
pp.31-34
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
15:15
京都 京都大学 ITZO TFTを用いたタッチパネル回路の特性解析
古我祐貴松田時宜龍谷大)・古田 守高知工科大)・木村 睦龍谷大EID2014-30 SDM2014-125
ITZOを活性層に使用した酸化物TFT(ITZO TFT)はフラットパネルディスプレイの駆動素子として注目されている。本... [more] EID2014-30 SDM2014-125
pp.89-93
SDM 2013-12-13
09:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析
木瀬香保利奈良先端大)・苫井重和出光興産)・上岡義弘山崎はるか浦川 哲奈良先端大)・矢野公規出光興産)・Dapeng Wang古田 守高知工科大)・堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2013-116
近年,a-InGaZnOに代表される高移動度の透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)が報告され,薄膜トランジスタのチャ... [more] SDM2013-116
pp.1-5
ITE-IDY, EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-25
10:10
静岡 静岡大学 非真空プロセス「ミストCVD法」でのIGZO/AlOx酸化物TFTの作製とその特性
川原村敏幸内田貴之王 大鵬古田 守高知工科大
 [more]
SDM 2011-12-16
13:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 [招待講演]酸化亜鉛薄膜トランジスタのサブギャップ準位と電気特性・信頼性への影響
古田 守島川伸一高知工科大SDM2011-139
 [more] SDM2011-139
pp.37-41
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