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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 15:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with buried SiO2 wires ○Naoaki Takebe・Takashi Kobayashi・Hiroyuki Suzuki・Yasuyuki Miyamoto・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.）  ED2010-69 SDM2010-70 |
In this paper, we report the fabrication and device characte... [more] | ED2010-69 SDM2010-70 pp.75-79 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET ○金澤 徹・若林和也・齋藤尚史・寺尾良輔・田島智宣・池田俊介・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-181 MW2009-164 |
2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用い... [more] | ED2009-181 MW2009-164 pp.39-42 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 ○山田真之・上澤岳史・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-182 MW2009-165 |
高電流密度駆動時におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）のエミッタ充電時間対電流密度の逆数特性について理論的考... [more] | ED2009-182 MW2009-165 pp.43-48 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 09:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source ○Yasuyuki Miyamoto・Toru Kanazawa・Hisashi Saito・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.） ED2009-72 SDM2009-67 |
Recently, III-V thin films have been identified as potential... [more] | ED2009-72 SDM2009-67 pp.99-103 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Estimation of collector current spreading in InGaAs SHBT having 75-nm-thick collector ○Yasuyuki Miyamoto・Shinnosuke Takahashi・Takashi Kobayashi・Hiroyuki Suzuki・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.） ED2009-79 SDM2009-74 |
We investigated collector current spreading in InGaAs single... [more] | ED2009-79 SDM2009-74 pp.129-132 |
| ED | 2009-06-12 10:20 |
東京 | 東京工業大学 | SiO2細線埋込InP系HBTにおけるCBr4を使ったIn-situエッチング ○武部直明・山下浩明・高橋新之助・齋藤尚史・小林 嵩・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-46 |
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の高速化にとって、ベースコレクタ間容量$C_{\{BC}}$の削減は重要である... [more] | ED2009-46 pp.51-55 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮 ○上澤岳史・山田真之・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2008-212 MW2008-177 |
あらまし InP/InGaAs HBTの超薄層高濃度ベース下におけるベース走行時間の解析を行った。20nm以下の様に超... [more] | ED2008-212 MW2008-177 pp.83-88 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-30 15:20 |
北海道 | 北海道大学 | ［招待講演］InP系バリスティックトランジスタ ○宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST） ED2007-241 SDM2007-252 |
[more] | ED2007-241 SDM2007-252 pp.23-28 |
| ED | 2007-06-15 15:50 |
富山 | 富山大学 | コレクタ層内にSiO2細線を埋め込んだHBTのDC特性 ○高橋新之助・三浦 司・山下浩明（東工大）・宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST） ED2007-37 |
HBTのInPコレクタ層内に低誘電率絶縁体のSiO2を埋め込んだ素子ではベースコレクタ間容量が低減され、トランジスタの高... [more] | ED2007-37 pp.33-37 |
| ED | 2006-12-08 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 絶縁ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの作製 ○諏訪 輝・長谷川貴史・日野高宏・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） |
[more] | |
| ED, MW (共催) |
2006-01-18 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大 ○鹿嶋一生・諏訪 輝（東工大）・宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST） |
[more] | ED2005-196 MW2005-150 pp.23-28 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-18 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測 ○町田信也（東工大/JST）・五十嵐満彦・山田朋宏（東工大）・宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST） |
走行領域を全て真性半導体とし、ゲート金属により電流制御を行うホットエレクトロントランジスタの高速特性解析を、フルバンドモ... [more] | ED2005-197 MW2005-151 pp.29-32 |
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