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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
11:00
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 プラスチック基板上のダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ
内海大樹東北学院大)・北原邦紀塚田真也島根大)・鈴木仁志原 明人東北学院大
塗布型ポリイミド(PI)上に銅(Cu)を利用した金属誘起結晶化(MIC)を用いて, ダブルゲート(DG)構造の多結晶ゲル... [more] EID2018-4 SDM2018-77
pp.1-4
SDM, OME
(共催)
2018-04-07
11:20
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Ⅳ族系薄膜トランジスタの高性能化・高機能化
原 明人内海大樹西口尚希宮崎 僚東北学院大
銅(Cu)を利用した金属誘起結晶化(MIC)を用いて自己整合平面型ダブルゲート(DG) 構造および自己整合平面型4端子(... [more] SDM2018-5 OME2018-5
pp.19-24
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
15:30
京都 京都大学 Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ
西口尚希内海弘樹原 明人東北学院大
新たな半導体デバイス材料の一つとしてゲルマニウムスズ(GeSn)が注目されている。 薄膜でのGeSnの低温結晶化として銅... [more] EID2017-24 SDM2017-85
pp.67-70
OME, SDM
(共催)
2017-04-20
13:00
鹿児島 龍郷町生涯学習センター 300℃プロセスによって形成した自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFTの開発
内海大樹佐々木大精関口竣也竹内翔弥原 明人東北学院大
IoTやトリリオンセンサ社会の実現に向けてフレキシブルデバイスやウェアラブルデバイスに対する期待が高まっている. これを... [more] SDM2017-1 OME2017-1
pp.1-4
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
14:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTから成るガラス上のCMOSインバータ
大澤弘樹原 明人東北学院大
 [more] EID2016-19 SDM2016-100
pp.45-48
SDM, OME
(共催)
2016-04-09
11:15
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 High-kゲート絶縁膜を有する自己整合四端子メタルダブルゲートNi-SPC LT poly-Si TFT
仁部翔太・○大澤弘樹原 明人東北学院大
低温で安価な結晶化プロセスとしてニッケル(Ni)を利用した金属誘起固相成長(Ni-SPC)に注目し、 更にデバイス高性能... [more] SDM2016-15 OME2016-15
pp.61-65
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
15:00
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 薄膜poly-Geをチャネルに利用したガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFTの特性
西村勇哉原 明人東北学院大
 [more] EID2015-19 SDM2015-102
pp.43-47
OME, SDM
(共催)
2015-04-30
14:15
沖縄 大濱信泉記念館多目的ホール ガラス上の自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温CLC poly-Si TFTの特性
大澤弘樹佐々木 駿原 明人東北学院大
 [more] SDM2015-16 OME2015-16
pp.63-66
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
13:30
京都 京都大学 スパッタリングにより形成したHfO2膜をゲート絶縁膜とするCLC低温Poly-Si TFT
目黒達也原 明人東北学院大
高い電流駆動能力を有する低温(LT)多結晶Si(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)の実現に向け,連続波レーザラテ... [more] EID2014-23 SDM2014-118
pp.51-54
SDM, OME
(共催)
2014-04-11
09:00
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]大粒径薄膜poly-Siを利用したガラス上低温poly-Si TFTの高性能化
原 明人加茂慎哉佐々木 駿目黒達也東北学院大)・佐藤 旦広島大)・北原邦紀島根大
 [more] SDM2014-10 OME2014-10
pp.39-44
SDM 2013-12-13
11:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 スパッタリングより形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜とするCLC低温poly-Si TFT
目黒達也原 明人東北学院大
高誘電率ゲート絶縁膜は,低温多結晶Si(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)の性能向上のためのテクノロジ・ブースタ... [more] SDM2013-124
pp.49-53
SDM, OME
(共催)
2012-04-27
15:10
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長
北原邦紀島根大)・原 明人東北学院大
連続発振レーザ横方向結晶化(CLC)法によりガラス基板上にSiおよびSiGe薄膜のフロー状成長を実現した.CLCは薄膜ト... [more] SDM2012-5 OME2012-5
pp.21-26
SDM, OME
(共催)
2012-04-27
16:50
沖縄 沖縄県青年会館 埋め込みゲート構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT
尾形浩之一條賢治近藤健二岡部泰典鹿 裕将加茂慎哉原 明人東北学院大
マルチゲート多結晶Si(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)は近年注目を集め, 盛んに研究されているテーマの1つで... [more] SDM2012-9 OME2012-9
pp.41-44
SDM 2010-12-17
16:05
京都 京都大学(桂) ガラス上に形成された大粒径を有する低温poly-Si1-xGex薄膜トランジスタの開発
岡部泰典近藤健二東北学院大)・広瀬研太鈴木順季北原邦紀島根大)・原 明人東北学院大
多結晶半導体からなる薄膜トランジスタ(TFT)の移動度は結晶粒径に依存する。我々は、前駆体として非晶質Si1-xGexを... [more] SDM2010-199
pp.79-82
SDM, OME
(共催)
2010-04-23
10:40
沖縄 沖縄県青年会館 ガラス基板上のレーザ活性化トップゲート水素化微結晶シリコンTFT
原 明人渋谷 潤佐藤 旦東北学院大)・北原邦紀島根大
トップゲート(TG)水素化微結晶シリコン(μc-Si:H)薄膜トランジスタ(TFT)とTG 多結晶シリコン(poly-S... [more] SDM2010-2 OME2010-2
pp.5-8
SDM 2009-12-04
14:30
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 ガラス上に形成された大粒径を有する多結晶シリコン薄膜におけるゲッタリング現象
原 明人佐藤 功東北学院大
多結晶シリコン薄膜は薄膜トランジスタや太陽電池材料として注目されているが、それらのデバイスの性能・効率・信頼性の向上のた... [more] SDM2009-163
pp.63-65
SDM 2007-12-14
13:50
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 光散乱法を利用した薄膜Si1-xGex/Siの転位運動の観測
原 明人東北学院大)・田村直義中村友二富士通研
エッチング法では観察ができないほどに薄いSiGe中の転位の運動を光散乱法により非破壊に観測した。この方法を使って、厚さ5... [more] SDM2007-229
pp.31-34
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